重含量Cu摻雜可以在GeTe中獲得Cu2Te納米晶第二相,研發(fā)延慶Cu2Te納米晶形成聲子散射中心調(diào)控GeTe的聲子輸運(yùn)過程,研發(fā)延慶使Ge0.9In0.015Cu0.125Te材料的晶格熱導(dǎo)率在823K下降到0.31Wm-1K-1,低于理論計(jì)算的GeTe材料非晶極限值。同時(shí)In摻雜在GeTe費(fèi)米能級(jí)附近產(chǎn)生共振態(tài)能級(jí),北京能夠提升材料的塞貝克系數(shù),北京In、Cu雙摻還能顯著提高GeTe材料載流子遷移率,從而使材料功率因子顯著提升,將GeTe材料的熱電優(yōu)值ZT提升至2.0。作為窄禁帶半導(dǎo)體,區(qū)簽約GeTe具有高濃度空穴載流子(~1021cm-3),使其具有高熱導(dǎo)率和低塞貝克系數(shù),從而導(dǎo)致其熱電性能不高。
論文信息AchievingUltralowLatticeThermalConductivityandHighThermoelectricPerformanceinGeTeAlloysviaIntroducingCu2TeNanocrystalsandResonantLevelDopingQingtangZhang,YongshengZhang,YueleiZhu,ZhuoyangTi,YangCao,ShuangLi,MeiyuWang,DiLi,BoZou,YunxiangHou,PengWang*,GuodongTang*,?ACSNano.文獻(xiàn)鏈接:科技https://doi.org/10.1021/acsnano.1c05650(ACSNano,科技2021,DOI:10.1021/acsnano.1c05650)本文由作者投稿。聚焦這種電聲協(xié)同效應(yīng)導(dǎo)致GeTe材料熱電優(yōu)值從0.8提升至2.0。
儲(chǔ)氫GeTe材料有望取代碲化鉛成為一種十分理想的環(huán)境友好型熱電材料。
圖1In、裝備制造中材Cu摻雜引入Cu2Te納米晶、裝備制造中材共振能級(jí)示意圖In、Cu雙摻優(yōu)化載流子濃度的同時(shí)提高了載流子遷移率,同時(shí)In摻雜引入共振能級(jí)提高了塞貝克系數(shù),從而實(shí)現(xiàn)了功率因子的大幅提升。緊跟物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代凸顯創(chuàng)新優(yōu)勢在倡導(dǎo)新零售、研發(fā)延慶宣揚(yáng)消費(fèi)升級(jí)的時(shí)代精神下,星港家居大膽加速品牌的蛻變步伐。
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星港家居以靈活的合作模式,科技讓經(jīng)銷商成為合伙人,通過流量+產(chǎn)品+服務(wù)多維賦能門店,成功打造家居行業(yè)新零售標(biāo)桿。圍繞改善更多人睡眠的品牌理念,聚焦星港家居將打好智慧睡眠系統(tǒng)這張牌。
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B 站繼續(xù)拓寬會(huì)員來源,這次它要跟餓了么合作
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據(jù)韓媒etnews今日?qǐng)?bào)道,三星和LG已被證實(shí)正在開發(fā)基于高通芯片的XR設(shè)備。NBA那些最奇葩的受傷原因 ?
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