c)Raman譜，雙組調(diào)控前后信號(hào)無(wú)明顯變化。d)FT-IR譜，活動(dòng)所有樣品中都沒(méi)有檢測(cè)到離子液體的紅外吸收。a)XRD譜，全面調(diào)控后層間距擴(kuò)大為將近1nm。

d)PDOS分布，推開(kāi)進(jìn)一步表明最緊密堆疊的MoS2的HER性能較高。a)電荷密度分布隨層間距變化情況，濟(jì)南隨著層間距增加MoS2納米片之間電子相互作用降低，其邊緣對(duì)氫的吸附增強(qiáng)。

在儲(chǔ)能（如電池、港華電容）和環(huán)境（如吸附金屬離子污染）領(lǐng)域，這類(lèi)策略一般能夠湊效。

當(dāng)排除了各種因素的干擾以后，燃?xì)庾髡邆儼l(fā)現(xiàn)，燃?xì)庀啾扔谠谥囟询B過(guò)程中形成較為疏松（層間距約1nm）結(jié)構(gòu)的MoS2，重堆疊為最緊密（層間距0.62nm）結(jié)構(gòu)的MoS2意外地顯示出較高的HER活性。圖五、雙組全電池中微米級(jí)SiOx/C和C-SiOx/C顆粒的結(jié)構(gòu)變化（a-b）SiOx/C和C-SiOx/C的嵌脫鋰過(guò)程示意圖。

得益于具有動(dòng)態(tài)穩(wěn)定的整體界面，活動(dòng)微米級(jí)C-SiOx/C顆粒可有效解決硅基材料不穩(wěn)定的表界面問(wèn)題，活動(dòng)在半電池和全電池中都表現(xiàn)出優(yōu)異的循環(huán)穩(wěn)定性和倍率性能。由于界面保護(hù)層的引入，全面C-SiOx/C的首次充電比容量有略微的降低（圖b），全面但由于界面穩(wěn)定性的提升，首圈CV曲線中對(duì)應(yīng)于生長(zhǎng)SEI的寬峰明顯減弱（圖a），用于生長(zhǎng)SEI的容量也有相應(yīng)減少。

從材料的透射電鏡元素分布圖（圖d）可以看出，推開(kāi)Si和O的信號(hào)集中于SiOx顆粒的位置，推開(kāi)而C信號(hào)區(qū)域明顯大于Si和O的信號(hào)區(qū)域，證明了上述Li-PAA包覆和CNTs均勻嵌入的結(jié)構(gòu)。材料的制備過(guò)程如圖a所示，濟(jì)南在SiOx/C微米顆粒表面首先吸附陽(yáng)離子型聚合物電解質(zhì)PDDA（聚二甲基二烯丙基氯化銨），濟(jì)南使顆粒表面ζ電勢(shì)為正，然后通過(guò)靜電自組裝把表面電勢(shì)為負(fù)的CNTs和Li-AA吸附在微米顆粒的表面，然后引發(fā)Li-AA的聚合，形成Li-PAA的包覆層且CNTs均勻嵌入其中。