度電?2023TheAuthors圖3?在TMDs上生長的二維In2S3的光電表征。力直??在晶片上集成各種2D材料不僅能豐富器件的功能還能通過形成異質(zhì)結(jié)構(gòu)以此構(gòu)建具有非常規(guī)性質(zhì)的材料。兩步法反應(yīng)使得金屬、接交半導(dǎo)體和拓?fù)浣^緣的二維層直接在云母或過渡金屬硫化物（TMDs）上實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量生長，形成MC/TMD異質(zhì)結(jié)構(gòu)。

b-d），安徽In2S3/WS2(b)，安徽SnSe2/WS2(c)和Bi2Te3/WS2?(d)的平面HAADF-STEM圖像，顯示周期莫爾超晶格，標(biāo)記的平行四邊形是相應(yīng)的單元格;e-g)莫爾結(jié)構(gòu)的原子分辨圖像，對(duì)應(yīng)于b-d中的樣品?2023TheAuthors?圖2MCs的替代外延。這可以通過材料轉(zhuǎn)移來實(shí)現(xiàn)，月易結(jié)但在轉(zhuǎn)移過程中通常會(huì)引入機(jī)械損傷和化學(xué)污染。

一、份月【導(dǎo)讀】??單片三維集成的成功可以促進(jìn)成像傳感器、光子集成、神經(jīng)形態(tài)計(jì)算、低溫電子學(xué)等新興技術(shù)的發(fā)展。

a)在TMD（MoS2?或WS2）晶片上不同二維MC陣列的順序生長示意圖;b)?兩英寸MoS2晶圓上MC陣列的照片,灰色框表示純MoS2陣列區(qū)域,紅色、度電藍(lán)色、度電紫色、橙色和海軍藍(lán)框分別表示In2S3/MoS2、SnS2/MoS2、SnSe2/MoS2、CdSe/MoS2和CH3NH3PbI3/MoS2陣列區(qū)域,晶圓周圍的黃色區(qū)域是連續(xù)的單層MoS2薄膜;c)MoS2、In2S3/MoS2、SnS2/MoS2、SnSe2/MoS2、CdSe/MoS2和CH3NH3PbI3/MoS2的拉曼光譜;d-i)MoS2、In2S3/MoS2、SnS2/MoS2、SnSe2/MoS2、CdSe/MoS2和CH3NH3PbI3/MoS2的高倍率OM圖像和拉曼強(qiáng)度映射?2023TheAuthors?五、【成果啟示】??利用此方法獲得大面積均勻厚度的MC薄膜具有很大的挑戰(zhàn)性。力直利用機(jī)器學(xué)習(xí)解決問題的過程為定義問題-數(shù)據(jù)收集-建立模型-評(píng)估-結(jié)果分析。

這就是步驟二：接交數(shù)據(jù)收集跟據(jù)這些特征，我們的大腦自動(dòng)建立識(shí)別性別的模型。因此，安徽2018年1月，美國加州大學(xué)伯克利分校的J.C.Agar[7]等人設(shè)計(jì)了機(jī)器學(xué)習(xí)工作流程，幫助我們理解和設(shè)計(jì)鐵電材料。

本文對(duì)機(jī)器學(xué)習(xí)和深度學(xué)習(xí)的算法不做過多介紹，月易結(jié)詳細(xì)內(nèi)容課參照機(jī)器學(xué)習(xí)相關(guān)書籍進(jìn)行了解。份月（e）分層域結(jié)構(gòu)的橫截面的示意圖。