三星和LG并未明確說明何時推出產(chǎn)品，伏暨伏儲報道稱最早預(yù)計在明年上半年。司宏國對XR設(shè)備的前景表示看好：儲能產(chǎn)業(yè)我們認為2024年將是VR、AR設(shè)備的增長高峰年，未來2-5年是持續(xù)增長期。司宏國表示，博覽LG在多個領(lǐng)域具有專長，而三星自從宣布與高通、谷歌合作以來，就已經(jīng)取得了很多進展。

注：屆廣際光三星、屆廣際光高通和谷歌曾于今年2月宣布結(jié)成XR聯(lián)盟，LG總裁趙柱完（音譯）也在今年7月舉行的中長期業(yè)務(wù)戰(zhàn)略新聞發(fā)布會上談到XR時表示，當時正與幾家公司接觸并研究商業(yè)化的可能性。據(jù)韓媒etnews今日報道，州國三星和LG已被證實正在開發(fā)基于高通芯片的XR設(shè)備。

高通技術(shù)公司副總裁兼XR部門總經(jīng)理司宏國（HugoSwart）日前在美國毛伊島上的活動中表示，世界關(guān)于合作目前不能透露細節(jié)，世界但我們確實在與三星電子、LG電子合作。

同時，太陽司宏國稱目前計劃在明年第一季度推出下一代XR芯片，太陽將比MetaQuest頭顯采用的第二代芯片（XR2）更加先進，預(yù)計在圖形處理能力、視頻透視能力和AI性能均會優(yōu)于第二代芯片。例如，光能展位錯形核機制、晶界湮滅、納米晶Al中的機械孿晶、減小晶粒尺寸時從位錯到基于晶界的變形機制、剪切帶的觀測及其與凹陷斷裂面的關(guān)系。

圖5（a）應(yīng)力-應(yīng)變曲線，伏暨伏儲（b）孿晶的原子比例與應(yīng)變的函數(shù)關(guān)系設(shè)計多層材料來調(diào)整機械性能是一個熱門話題，伏暨伏儲同時控制變形機制，因為孿晶允許結(jié)合納米層和納米孿晶材料的機械性質(zhì)。對于包含低對稱性hcp結(jié)構(gòu)金屬的超細尺度層狀復(fù)合材料，儲能產(chǎn)業(yè)由于大量的異質(zhì)界面能夠有效地吸收核輻照引起的空位、儲能產(chǎn)業(yè)間隙原子等缺陷，且hcp金屬自身具有密度低、比強度和比剛度高、導(dǎo)電導(dǎo)熱性好等特點，近年來由Ti、Zr、Mg與其它金屬復(fù)合而成的六方系多層材料開始受到人們的關(guān)注。

B_ejaud,J.Durinck等人利用分子動力學模擬研究了變形孿晶與納米結(jié)構(gòu)Cu/Ag界面的相互作用，博覽分析了界面結(jié)構(gòu)對孿晶形核、博覽擴展和增厚的影響，并闡述了失配界面位錯網(wǎng)格的作用[4]。其中，屆廣際光對于原子間相互作用力的描述通常是經(jīng)驗或半經(jīng)驗的，屆廣際光這樣雖然能夠提高計算效率，但無法完全揭示電子鍵合的多體性質(zhì)，尤其對于缺陷附近與自身結(jié)構(gòu)和化學性有關(guān)的復(fù)雜自洽變分函數(shù)。

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