在Nature,平加NanoLetters等國際知名雜志上以第一作者身份發(fā)表論文九篇,平加博士期間針對二維電子學領域的關鍵科學瓶頸和底層科學問題進行攻關,實現(xiàn)了近彈道輸運的高速二維晶體管,性能和功耗均優(yōu)于商用硅基先進技術節(jié)點。?圖3InSe、源技用硅和InGaAsFET的基準測試???2023SpringerNatureLimited(a)五種典型的彈道2DInSeFET(彩色點)、源技用10nm節(jié)點硅FinFET(Intel,黑色實線)32和20nmLGInGaAsFinFET的傳輸特性比較,通過最先進的FinPitch=34nm(IBM,黑色虛線)進行歸一化。國家基金委優(yōu)青(2021)、術創(chuàng)國家重點研發(fā)計劃青年首席科學家(2021)、KJW173JCJQ首席科學家(2022)。

全國人大代表王立平:加快能源技術創(chuàng)新 推動成果轉(zhuǎn)化應用

金色、新推藍色和紫色球體分別代表In、Se和Y原子。(g)與獨立InSe相比,果轉(zhuǎn)Y-InSe的XPS光譜的偏移(所有C1s峰在284.8eV處)。

全國人大代表王立平:加快能源技術創(chuàng)新 推動成果轉(zhuǎn)化應用

全國Y原子取代In原子和Se原子。

Nature論文彈道InSe晶體管研制出世界上迄今彈道率最高、代表動成速度最快、功耗最低的二維晶體管,性能超過硅基極限。04、王立數(shù)據(jù)概覽?圖1?彈道InSeFETs的結構和電子特性???2023SpringerNatureLimited(a)硅和典型二維半導體材料的熱速度和縮放長度。

03、平加核心創(chuàng)新點1、平加該研究成功設計了一種以2DInSe作為溝道材料的FET,該FET在0.5V下工作,并實現(xiàn)了6mSμm-1的創(chuàng)紀錄的高跨導和83%的飽和區(qū)室溫彈道比,創(chuàng)造了新紀錄。邱晨光研究員北京大學電子學院研究員,源技用博雅青年學者。

(g)與獨立InSe相比,術創(chuàng)Y-InSe的XPS光譜的偏移(所有C1s峰在284.8eV處)。新推(d)典型的10nm節(jié)點硅FinFET和2DFET的橫截面示意圖。

友鏈

外鏈

互鏈


Copyright © 2023 Powered by
全國人大代表王立平:加快能源技術創(chuàng)新 推動成果轉(zhuǎn)化應用-博大精深網(wǎng)
sitemap

贊一個、收藏了!

分享給朋友看看這篇文章

相關標簽

熱門推薦