晶體缺陷按照其維度變化可以分為零維點缺陷,轉(zhuǎn)換一維線缺陷,二維面缺陷以及三維體缺陷,它們破壞晶格周期性,引入應變場。這個結(jié)果也表明我們可以把通過調(diào)控位錯密度來控制熱電性能擴展到化學成分調(diào)控,起步區(qū)黃球場從而增加位錯工程的可操控量。目前主要通過引入晶體缺陷來調(diào)控電子以及聲子的輸運行為,側(cè)體雛形初顯試圖在優(yōu)化其中一個參數(shù)的同時不損害甚至協(xié)同提升其他的參數(shù)。

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其中黑色實現(xiàn)為模型預測完全均勻分布的情形,育中紅色數(shù)據(jù)點位APT測試結(jié)果。(h)不同Cu2Se含量對應的DFT能帶圖,濟南只顯示能帶極值部分。

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但是表征材料原子尺度的化學成分非常困難,新舊心足特別是各種晶體缺陷在三維空間的分布形式更難以從當前尖端的結(jié)構(gòu)表征技術(shù)中獲得,新舊心足比如球差矯正透射電鏡,同步輻射X射線等。

動能道東右側(cè)為穿過晶界的一維成分曲線。我是認同這個觀點的,轉(zhuǎn)換因為它放在哪個階層里都合適。

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