南方科技大學(xué)何佳清團(tuán)隊(duì)聯(lián)合北京航空航天大學(xué)趙立東團(tuán)隊(duì)等人利用硒化錫（SnSe）的層間最低熱傳導(dǎo)特性（二維聲子傳輸），集團(tuán)基礎(chǔ)通過電子摻雜促進(jìn)離域電子雜化，集團(tuán)基礎(chǔ)實(shí)現(xiàn)了電子在n型SnSe層間的隧穿（三維電荷傳輸，研究發(fā)現(xiàn)在773開爾文時(shí)，n型硒化錫(SnSe)晶體的ZT最大值為~2.8±0.5。這種簡(jiǎn)單的過程產(chǎn)生了獨(dú)特的微觀結(jié)構(gòu)，推進(jìn)其特征是晶粒的生長(zhǎng)和豐富的納米結(jié)構(gòu)。但是，電力它們的廣泛使用受到轉(zhuǎn)換效率低的限制，轉(zhuǎn)換效率由無(wú)量綱的品質(zhì)因數(shù)（ZT）決定。

設(shè)施基于該n型高熵材料制備的分段模塊在溫差DT=507kelvin下熱電轉(zhuǎn)換效率為12.3%。相關(guān)研究以High-entropy-stabilizedchalcogenideswithhighthermoelectricperformance為題目，資源發(fā)表在Science上。

澳大利亞伍侖貢大學(xué)XiaolinWang聯(lián)合清華大學(xué)李敬鋒團(tuán)隊(duì)等人報(bào)道了一種新的策略，國(guó)網(wǎng)共享通過在Bi0.5Sb1.5Te3（BST）中加入少量無(wú)毒、國(guó)網(wǎng)共享輕質(zhì)的非晶態(tài)納米硼（B）粒子，在375K時(shí)的ZT值達(dá)到了1.6。

增大的晶粒導(dǎo)致了高載流子遷移率，信通提高了功率因數(shù)。產(chǎn)業(yè)2007年被聘為納米研究重大科學(xué)研究計(jì)劃仿生智能納米復(fù)合材料項(xiàng)目首席科學(xué)家。

文獻(xiàn)鏈接：集團(tuán)基礎(chǔ)https://doi.org/10.1002/anie.2020063202、集團(tuán)基礎(chǔ)NatureCommun：三維水凝膠界面膜來(lái)實(shí)現(xiàn)滲透能的高效轉(zhuǎn)化中科院理化所江雷院士和聞利平研究員等人通過將帶電荷的聚電解質(zhì)水凝膠涂覆到ANF膜上制備的新設(shè)計(jì)的異質(zhì)膜中觀察到了高性能的滲透能轉(zhuǎn)換。推進(jìn)兩種方法均被證明在調(diào)節(jié)電荷向O的轉(zhuǎn)移以及HER性能的變化中起關(guān)鍵作用。

而且，電力具有廣闊帶電荷3D網(wǎng)絡(luò)的聚電解質(zhì)凝膠可以充當(dāng)離子擴(kuò)散促進(jìn)劑，從而大大提高界面?zhèn)鬏斝?。長(zhǎng)期從事新型光功能材料的基礎(chǔ)和應(yīng)用探索研究，設(shè)施在低維材料、納米光電子學(xué)等方面做出了開創(chuàng)性貢獻(xiàn)。