圖五、制尖DFT計(jì)算預(yù)測(cè)高壓下晶體結(jié)構(gòu)的演化(a-d)DFT計(jì)算預(yù)測(cè)的CuP2Se在?0(a),20(b),40(c)?和?50GPa(d)下的晶體結(jié)構(gòu)。文獻(xiàn)鏈接:峰時(shí)浮MetallizationandSuperconductivityinthevanderWaals?CompoundCuP2SethroughPressure-TuningoftheInterlayerCoupling?(J.Am.Chem.Soc.,峰時(shí)浮2021,10.1021/jacs.1c09735)本文由作者投稿。BCS理論模型化分析則發(fā)現(xiàn),段電電其超導(dǎo)臨界溫度隨壓力的升高主要來(lái)源于高壓下體彈模量的增加和費(fèi)米能處電子態(tài)密度的提高。

四川擬完善分時(shí)電價(jià)機(jī)制:尖峰時(shí)段電價(jià)在高峰時(shí)段電價(jià)基礎(chǔ)上上浮20%

【引言】層狀范德華(vdW)材料具有可調(diào)的物理化學(xué)性質(zhì),高峰尤適于新型催化劑和光電子器件等方面的應(yīng)用開(kāi)發(fā),因而引起了研究者的極大興趣?;诖?,川善分時(shí)電時(shí)段上上人們對(duì)過(guò)渡金屬硫族化物等層狀二維材料進(jìn)行了比較廣泛的高壓研究。

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或者通過(guò)摻雜、擬完改變層間堆疊角、構(gòu)建異質(zhì)結(jié)等來(lái)調(diào)節(jié)層間的耦合作用。

因此,價(jià)機(jī)價(jià)基礎(chǔ)在高壓下,不同材料的結(jié)構(gòu)響應(yīng)和物理化學(xué)性質(zhì)將有所不同。制尖(e)17.5和27.0GPa下電阻隨溫度的變化圖。

文獻(xiàn)鏈接:峰時(shí)浮MetallizationandSuperconductivityinthevanderWaals?CompoundCuP2SethroughPressure-TuningoftheInterlayerCoupling?(J.Am.Chem.Soc.,峰時(shí)浮2021,10.1021/jacs.1c09735)本文由作者投稿。并且,段電電在35~40GPa之間,該相進(jìn)一步轉(zhuǎn)變?yōu)橐桓吲湮粩?shù)金屬相或超導(dǎo)相。

近日,高峰北京高壓科學(xué)研究中心張衡中(通訊作者)等人利用多種原位高壓實(shí)驗(yàn)技術(shù)和理論計(jì)算,高峰研究了該新型層狀化合物CuP2Se在高壓下的結(jié)構(gòu)演變以及光學(xué)和電學(xué)等性質(zhì)的變化。圖六、川善分時(shí)電時(shí)段上上超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度隨壓力變化的BCS理論模型化(a)CuP2Se在費(fèi)米能級(jí)處的電子態(tài)密度和體彈模量隨壓力的變化圖;(b)BCS方程中兩項(xiàng)參數(shù)隨壓力的變化圖;(c)實(shí)驗(yàn)和BCS方程擬合的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度對(duì)比圖

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