部國(guó)圖6(a)d=10nm的NC試樣在1200K不同外加應(yīng)力下的蠕變曲線。產(chǎn)電本文的發(fā)現(xiàn)為在中熵合金或者高熵合金中識(shí)別CSRO提供了一種方法。目前以第一作者或通訊作者已在Nature、視劇NatureReviewsMaterials、視劇NatureNanotechnology、NatureMaterials、NatureCommunications、ScienceAdvances、PNAS、PRL、NanoLetters、AdvancedMaterials、ACSNano、NanoEnergy、JMPS、Small、ActaMaterialia等國(guó)際期刊上發(fā)表SCI論文60余篇。

最近在嵌入的hcp納米片層中觀察到納米孿晶的形成。在GBM后，迫于高角的比例GBs減小，低角度GBs增大。

圖1Al-Mg合金受限晶體的（SC-8）晶格常數(shù)、無(wú)奈晶格中鎂含量及晶粒尺寸隨退火時(shí)間的變化趨勢(shì)[1](2)納米晶銅中機(jī)械誘導(dǎo)晶界遷移的取向依賴性晶界(GBs)在超細(xì)晶和納米晶材料的變形中起著至關(guān)重要的作用,模擬和實(shí)驗(yàn)表明，無(wú)奈在室溫或室溫以下施加應(yīng)力或應(yīng)變時(shí)，納米晶粒金屬中GBs傾向于沿垂直于邊界切面的方向移動(dòng)，被歸類為機(jī)械誘導(dǎo)的GB遷移(GBM)。

在可以發(fā)展的局部化學(xué)有序中，部國(guó)化學(xué)短程有序(CSRO)可以說(shuō)是最難破譯的，而且這些材料中CSRO的證據(jù)迄今為止一直缺失。(c)H形電池模型的示意圖，產(chǎn)電(d)H形電池的光學(xué)照片

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