為了解決這個問題，易合2019年2月，Maksov等人[9]建立了機(jī)器學(xué)習(xí)模型來自動分析圖像。并利用交叉驗證的方法，同示解釋了分類模型的準(zhǔn)確性，精確度為92±0.01%（圖3-9）。Ceder教授指出，范文可以借鑒遺傳科學(xué)的方法，范文就像DNA堿基對編碼蛋白質(zhì)等各種生物材料一樣，用材料基因組編碼各種化合物，而實現(xiàn)這一編碼的工具便是計算機(jī)的數(shù)據(jù)挖掘及機(jī)器學(xué)習(xí)算法等。

在數(shù)據(jù)庫中，本新比解根據(jù)材料的某些屬性可以建立機(jī)器學(xué)習(xí)模型，便可快速對材料的性能進(jìn)行預(yù)測，甚至是設(shè)計新材料，解決了周期長、成本高的問題。圖3-1機(jī)器學(xué)習(xí)流程圖圖3-2?數(shù)據(jù)集分類圖圖3-3???????????????????????圖3-3?帶隙能與電離勢關(guān)系圖圖3-4?模型預(yù)測數(shù)據(jù)與計算數(shù)據(jù)的對比曲線2018年Zong[5]等人采用隨機(jī)森林算法以及回歸模型，舊對來研究超導(dǎo)體的臨界溫度。

深度學(xué)習(xí)算法包括循環(huán)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（RNN）、電力讀卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（CNN）等[3]。

然后，中長為了定量的分析壓電滯回線的凹陷特征，構(gòu)建圖3-8所示的凸結(jié)構(gòu)曲線。但是，期交對液態(tài)水的性質(zhì)變化，尤其在縫隙孔隙中且層間距離僅為約10?的研究仍不多。

易合圖2MoS2晶體和單層構(gòu)建的納米通道圖3在狹縫內(nèi)介電成像的實驗裝置（a-c）石墨和六方氮化硼的納米流體裝置的示意圖;（d-g）不同高度h的承壓水薄片的設(shè)備的斷層圖像;（h-j）為（d-g）的相應(yīng)撲拓圖。本文由材料人Materials_1219供稿，同示材料牛整理編輯。

但是，范文當(dāng)涉及到化學(xué)反應(yīng)性或選擇性時，納米約束作用需要考慮反應(yīng)物-表面相互作用。另外，本新比解在窄縫隙孔中觀察到的，由禁閉引起的傳輸特性、介電響應(yīng)、溶劑化殼、化學(xué)反應(yīng)性和反應(yīng)機(jī)理的變化也應(yīng)轉(zhuǎn)變?yōu)橛山]控制的化學(xué)反應(yīng)。