本工作已經(jīng)將這種變形模式與先前報道的模式相協(xié)調(diào),器市并表明這種再結(jié)晶模式比其他的模式產(chǎn)生更細(xì)的晶粒,器市這可能是產(chǎn)生納米晶粒的一些極端過程的基礎(chǔ)。紅外(g)通過整合衍射盤強度來突出孿晶結(jié)構(gòu)形成的虛擬暗場圖像(左)和顯示孿晶結(jié)構(gòu)的衍射圖(右)。圖5在768m/s沖擊下強變形黏附顆粒的表征.?a,b,溫度整個撞擊點(a)和界面附近(b)的STEM明場顯微圖,顯示顆粒和基體兩側(cè)的DRX。

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變形孿晶在fcc金屬中非常常見,傳感場分在再結(jié)晶過程中扮演著客串角色,通常導(dǎo)致晶界發(fā)生鼓脹或者出現(xiàn)變形。(e)?STEM明場像顯示了顆粒頂部位錯滑移的變形,器市插圖表示先前退火孿晶的位錯演變?yōu)榧{米顆粒。

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黑色、紅外紅色和藍(lán)色(分別為a、b、d)分別代表晶界、位錯和孿晶界。

溫度圖4在647m/s沖擊下強變形黏附顆粒的表征。傳感場分(d)藍(lán)/綠色QD-LEDs的EQEs。

以最先進的QD-LEDs為例,器市其器件結(jié)構(gòu)由ZnO基納米晶電子傳輸層(ETLs)和聚合物空穴傳輸層(HTLs)以及量子點構(gòu)成。研究首先揭示了在綠色和藍(lán)色QD-LEDs中,紅外有機HTLs的能量無序度和量子點與HTLs之間的尺寸偏差都會大幅強化從量子點到HTLs的電子泄漏行為。

更加深入的基礎(chǔ)機制理解可大大縮小綠色和藍(lán)色QD-LEDs長期存在的EL–PL效率差距,溫度并可使注入的電荷載流子約100%地轉(zhuǎn)化為發(fā)射激子。圖四、傳感場分PF8CzHTLs基QD-LEDs的工作壽命(a)綠色QD-LED的工作壽命與亮度的關(guān)系。

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