司宏國對(duì)XR設(shè)備的前景表示看好：站智昌我們認(rèn)為2024年將是VR、AR設(shè)備的增長高峰年，未來2-5年是持續(xù)增長期。高通技術(shù)公司副總裁兼XR部門總經(jīng)理司宏國（HugoSwart）日前在美國毛伊島上的活動(dòng)中表示，檢機(jī)關(guān)于合作目前不能透露細(xì)節(jié)，檢機(jī)但我們確實(shí)在與三星電子、LG電子合作在電流密度為10mAcm?2時(shí)，器人最優(yōu)的Frenkel缺陷單層MoS2的過電位(164mV)低于原始單層MoS2表面平面(358mV)或pt單原子摻雜MoS2(211mV)的過電位。

微電化學(xué)性能測(cè)試了不同缺陷結(jié)構(gòu)的電催化析氫性能，都投密度泛函理論(DFT)計(jì)算揭示了MoS2中Frenkel缺陷引入的獨(dú)特電荷分布和H吸附位點(diǎn)。西藏通過理論計(jì)算更深入地揭示了Frenkel缺陷的單層MoS2催化劑高效析氫的機(jī)理。

這項(xiàng)工作為點(diǎn)狀缺陷MoS2的結(jié)構(gòu)和性能關(guān)系提供了深入的見解，首批并強(qiáng)調(diào)了Frenkel缺陷在調(diào)節(jié)MoS2材料催化性能方面的優(yōu)勢(shì)。

數(shù)據(jù)概覽圖1?FD-MoS2的制備及結(jié)構(gòu)表征?2022TheAuthors?圖2?基于MoS?2的催化劑的AC-STEM表征??2022TheAuthors?圖3?利用微電化學(xué)裝置(微反應(yīng)器)對(duì)二硫化鉬催化劑進(jìn)行HER測(cè)量及性能研究??2022TheAuthors圖4?單層原始MoS?2、變電FD-MoS?2和Pt-MoS?2的表面電荷密度分布和HER催化活性的DFT計(jì)算結(jié)果??2022TheAuthors?成果啟示?該項(xiàng)研究設(shè)計(jì)和合成了一種Frenkel缺陷單層MoS2催化劑，變電并通過球差校正掃描透射電子顯微鏡(AC-STEM)觀察揭示了MoS2中Frenkel缺陷的原子構(gòu)型。通過不同的體系或者計(jì)算，站智昌可以得到能量值如吸附能，活化能等等。

檢機(jī)該項(xiàng)研究也為高性能富錳正極拓寬了其在電池領(lǐng)域的新的應(yīng)用。XANES?X射線吸收近邊結(jié)構(gòu)（XANES）又稱近邊X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)（NEXAFS），器人是吸收光譜的一種類型。

因此，都投原位XRD表征技術(shù)的引入，可提升我們對(duì)電極材料儲(chǔ)能機(jī)制的理解，并將快速推動(dòng)高性能儲(chǔ)能器件的發(fā)展。利用原位表征的實(shí)時(shí)分析的優(yōu)勢(shì)，西藏來探究材料在反應(yīng)過程中發(fā)生的變化。