(b)表示單層包覆物的表面形貌的LEEM圖像，綠色下方對應(yīng)的LEED圖像表示在570K下生長的硼烯，最初的β12結(jié)構(gòu)中存在著少量的χ3結(jié)構(gòu)。(e)穿過(b)圖中白線區(qū)域的衍射峰，電力峰強(qiáng)度取決于溫度，數(shù)據(jù)顯示溫度處于570K至840K的加熱過程中，硼烯結(jié)構(gòu)的演化。(a)硼烯-Cu臺(tái)階邊緣的大面積STM形貌圖像，交易硼烯為黃色部分，以單胞形式存在。

廣東公司國(b)沿六角晶格的(100)方向的Cu平面和弛豫的硼烯之間的電荷重分布等值面圖像。粵電(i)多疇片狀硼烯的結(jié)合暗場圖像。

由于制備得到的納米尺寸單晶疇太小，售電首次不足以用于器件制造，而且通過襯底相關(guān)的外延來實(shí)現(xiàn)硼烯的結(jié)構(gòu)調(diào)控，仍有待證明。

綠色(a)在Cu上弛豫后的硼烯片和相同結(jié)構(gòu)在真空環(huán)境弛豫的硼烯的電子態(tài)密度。為了解決上述問題，電力研究人員已采取了多種策略，包括形貌控制、摻雜以及負(fù)載助催化劑等。

這項(xiàng)工作在J.Mater.Chem.A上發(fā)表，交易題為ChargecarriertransportdynamicsinW/Mo-dopedBiVO4:firstprinciples-basedmesoscalecharacterization。廣東公司國圖2W/Mo上產(chǎn)生的多余電子局域到不同的遠(yuǎn)離摻雜位點(diǎn)的釩位點(diǎn)時(shí)的相對DFT+U能量W/Mo上產(chǎn)生的多余電子局域到不同的遠(yuǎn)離摻雜位點(diǎn)的釩位點(diǎn)時(shí)的相對DFT+U能量圖3BVO中摻雜物位點(diǎn)周圍的殼層概率分布BVO中摻雜物位點(diǎn)周圍的殼層概率分布。

粵電主要研究方向有：1.半導(dǎo)體光催化劑中電荷分離傳輸?shù)睦碚撚?jì)算研究(PCCP,2015,17,23503-23510;JPCC,2016,120,6930-6937;JMCA,2018,6,3714-3723;JMCA,2018,DOI:10.1039/C8TA09899A).2.半導(dǎo)體表面水氧化以及CO2還原的理論計(jì)算研究(JMCA,2015,3,10309-10319;ChemistryofMaterials,2018,30,7714-7726).3.低維體系限域催化研究。歡迎大家到材料人宣傳科技成果并對文獻(xiàn)進(jìn)行深入解讀，售電首次投稿郵箱[email protected]。