圖十二、打好非金屬部分在M-N-C中的作用（a）超高真空（UHV）和13.3PaCO2氣氛下Fe、Co和Ni-N-C的N1s高分辨率X射線光電子能譜。市場(chǎng)（b）計(jì)算的CO2RR的自由能。（c）Fe-N4-N、組合Fe-N4-NH、585-Fe-N4和585缺陷的UL（CO2）-UL（H2）值，以及Fe-N4-N和585-Fe-N4位置上*COOH吸附的平板模型。

應(yīng)對(duì)文獻(xiàn)鏈接：ElectrochemicalReductionofCO2toCOoverTransitionMetal/N-DopedCarbonCatalysts:TheActiveSitesandReactionMechanism(Adv.Sci.2021,DOI:10.1002/advs.202102886)本文由大兵哥供稿。歡迎大家到材料人宣傳科技成果并對(duì)文獻(xiàn)進(jìn)行深入解讀，緊平投稿郵箱：[email protected]投稿以及內(nèi)容合作可加編輯微信：cailiaokefu。

衡須（e）不同電勢(shì)下Fe-edgeXANES光譜的一階導(dǎo)數(shù)。

打好（h）不同外加電勢(shì)下的CO法拉第效率。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，市場(chǎng)國家要鼓勵(lì)并推動(dòng)集成電路基金和政策性銀行，市場(chǎng)對(duì)硅襯底LED產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目擴(kuò)產(chǎn)、國內(nèi)外優(yōu)質(zhì)資產(chǎn)并購的融資需要予以傾斜支持;發(fā)揮國家高技術(shù)開發(fā)專項(xiàng)和節(jié)能專項(xiàng)補(bǔ)貼等政策性資金的引導(dǎo)作用，撬動(dòng)社會(huì)資金加大對(duì)硅襯底LED上、中、下游領(lǐng)域的投入，促進(jìn)硅襯底LED全產(chǎn)業(yè)鏈建設(shè)。

2009年，組合晶能光電在全球率先實(shí)現(xiàn)硅襯底小功率LED芯片量產(chǎn);2012年，組合又實(shí)現(xiàn)硅襯底大功率LED芯片量產(chǎn)，這標(biāo)志著硅襯底LED技術(shù)產(chǎn)業(yè)化的成熟，國際半導(dǎo)體照明聯(lián)盟將其列為年度新聞事件。三分天下，應(yīng)對(duì)中國有其一。

緊平我國在硅襯底LED領(lǐng)域因此占據(jù)了技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化兩大高地。據(jù)相關(guān)行業(yè)人士介紹，衡須國內(nèi)LED市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)秩序亂，大部分企業(yè)一味跟蹤模仿，習(xí)慣于拼價(jià)格、拼規(guī)模、拼投資，不利于創(chuàng)新企業(yè)健康發(fā)展。