底漲電網(wǎng)都被圖5MoS2/h-BN/graphene隧穿光電二極管的探測靈敏度及噪聲分析（a）MoS2/h-BN/graphene隧穿光電二極管在零偏壓和負一伏偏壓時的電流噪聲密度譜,紫色實線是對1/f噪聲趨勢的參考.（b）負電壓偏置下測得的噪聲等效功率（NEP）和的特定探測度。另一方面基于二維材料的光電二極管，不漲其范德華異質結不僅可以有效地抑制暗電流，同時也是潛在的自供電高性能光電探測器。收入瓜該研究發(fā)現(xiàn)二硫化鉬（MoS2）/Graphene光電二極管中零偏壓光電流的損失源于界面處光生載流子的層間耦合。

然而，輪電石墨烯與其他二維材料構建的異質結由于其界面處光生載流子的復合作用，其在零偏壓下光伏效應往往受到明顯抑制，從而影響其光電性能【成果簡介】近日，改過香港中文大學許建斌教授課題組和韓國東國大學和成均館大學的合作者在Nano?Energy上發(fā)表題為RestoringthePhotovoltaicEffectinGraphene-basedvanderWaalsHeterojunctionstowardsSelf-PoweredHigh-DetectivityPhotodetectors的文章。

通過將原子級薄的六方氮化硼（h-BN）膜引入二硫化鉬/石墨烯界面，后電零偏壓下MoS2/Graphene界面處的層間載流子復合可以被有效阻擋，后電而光生空穴則通過量子隧穿實現(xiàn)層間傳輸。

文章鏈接：底漲電網(wǎng)都被RestoringthePhotovoltaicEffectinGraphene-basedvanderWaalsHeterojunctionstowardsSelf-PoweredHigh-DetectivityPhotodetectors?(Nano?Energy?2019https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2018.12.004.?)本文由材料人香港中文大學許建斌教授課題組供稿，底漲電網(wǎng)都被編輯部編輯。業(yè)內(nèi)頂尖的運動補償技術，不漲能夠有效消除圖像拖影，對于動態(tài)畫面的表現(xiàn)尤為出色。

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