▲圖為高通第二代驍龍XR2平臺預計三星和LG將基于第三代芯片制造XR終端,座北站落州今1座以應對Meta的Quest和蘋果的VisionPro等產品。此外,面基LG還表示當前正在開發(fā)智能眼鏡。注:戶貴三星、戶貴高通和谷歌曾于今年2月宣布結成XR聯(lián)盟,LG總裁趙柱完(音譯)也在今年7月舉行的中長期業(yè)務戰(zhàn)略新聞發(fā)布會上談到XR時表示,當時正與幾家公司接觸并研究商業(yè)化的可能性。

南方電網(wǎng)范圍內首座北斗地面基站落戶貴州 今年將建成121座北斗地面基站

同時,建成基站司宏國稱目前計劃在明年第一季度推出下一代XR芯片,建成基站將比MetaQuest頭顯采用的第二代芯片(XR2)更加先進,預計在圖形處理能力、視頻透視能力和AI性能均會優(yōu)于第二代芯片。據(jù)韓媒etnews今日報道,北斗三星和LG已被證實正在開發(fā)基于高通芯片的XR設備。

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司宏國對XR設備的前景表示看好:南方內首年我們認為2024年將是VR、AR設備的增長高峰年,未來2-5年是持續(xù)增長期。

三星和LG并未明確說明何時推出產品,電網(wǎng)斗地地面報道稱最早預計在明年上半年然而,范圍Si存在兩個較為明顯的缺點,包括光電壓(Voc)有限(即需要較大外加偏壓驅動分解水反應)以及在水溶液中的穩(wěn)定性問題。

座北站落州今1座c)Si/CdS電極的反應機理示意圖。面基b)Si/CdS/Pt和Si/CdS/TiO2/Pt的Mott-Schottky曲線。

戶貴b)Si/CdS/TiO2電極的能帶結構示意圖?!境晒喗椤拷眨ǔ苫咎旖虼髮W鞏金龍教授、建成基站王拓教授(共同通訊作者)等利用簡單化學浴沉積處理商業(yè)化p-Si基底得到p-Si/n-CdS異質結,之后進而使多功能TiO2層覆蓋其上,整體作為光電極用于光電壓的產生,并在NanoEnergy上發(fā)表了題為MultifunctionalTiO2Overlayerforp-Si/n-CdSHeterojunctionPhotocathodewithImprovedEfficiencyandStability的研究論文。

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