首先，成本構(gòu)建深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型（圖3-11），成本識(shí)別在STEM數(shù)據(jù)中出現(xiàn)的破壞晶格周期性的缺陷，利用模型的泛化能力在其余的實(shí)驗(yàn)中找到各種類(lèi)型的原子缺陷。目前，降1加機(jī)器學(xué)習(xí)在材料科學(xué)中已經(jīng)得到了一些進(jìn)展，如進(jìn)行材料結(jié)構(gòu)、相變及缺陷的分析[4-6]、輔助材料測(cè)試的表征[7-9]等。并利用交叉驗(yàn)證的方法，毛利解釋了分類(lèi)模型的準(zhǔn)確性，精確度為92±0.01%（圖3-9）。

本文對(duì)機(jī)器學(xué)習(xí)和深度學(xué)習(xí)的算法不做過(guò)多介紹，潤(rùn)增詳細(xì)內(nèi)容課參照機(jī)器學(xué)習(xí)相關(guān)書(shū)籍進(jìn)行了解。另外7個(gè)模型為回歸模型，兆豐預(yù)測(cè)絕緣體材料的帶隙能（EBG），兆豐體積模量（BVRH），剪切模量（GVRH），徳拜溫度（θD），定壓熱容（CP），定容熱容（Cv）以及熱擴(kuò)散系數(shù)（αv）。

有很多小伙伴已經(jīng)加入了我們，鋁電但是還滿足不了我們的需求，期待更多的優(yōu)秀作者加入，有意向的可直接微信聯(lián)系cailiaorenVIP。

因此，用電2018年1月，美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校的J.C.Agar[7]等人設(shè)計(jì)了機(jī)器學(xué)習(xí)工作流程，幫助我們理解和設(shè)計(jì)鐵電材料。（i）SEM顯微照片比較了在不同濃度的僅CNT、成本僅GF和GF+CNT的混合濃度下的microCGs結(jié)構(gòu)。

（c）在薄膜破裂的第一個(gè)點(diǎn)之前，降1加封裝材料的應(yīng)力（σ）與伸長(zhǎng)率（λ）行為的量化。這可以在不增加裝置的整體厚度，毛利也不損害其粘彈性的情況下完成。

當(dāng)前的微陣列包含金屬薄膜圖案化的電極，潤(rùn)增不僅與生物組織的機(jī)械不匹配，而且在承受大應(yīng)變時(shí)會(huì)斷裂。（d）120h后，兆豐記錄接種在具有不同粘彈性和剛度的RGD-藻酸鹽-基質(zhì)膠IPNs上的初級(jí)皮質(zhì)星形膠質(zhì)細(xì)胞和初級(jí)皮質(zhì)神經(jīng)元共培養(yǎng)的顯微照片。