因此，萬(wàn)萬(wàn)股與現(xiàn)有的PPD暗電流最小化優(yōu)化策略相比，這項(xiàng)工作提供了新的方向，以及新的設(shè)計(jì)規(guī)則，用于說(shuō)明概述的界面電荷生成過(guò)程?；刭?gòu)（c）在0.5V下測(cè)量的線(xiàn)性圖顯示了在近紅外（940nm）照射下不同光子通量下的Jph?！緢D文導(dǎo)讀】圖一、昂納鈣鈦礦光電二極管的能量圖和暗電流（a）混合FA0.66MA0.34Pb(1–x)SnxI3鈣鈦礦光電二極管的能帶示意圖。

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圖五、萬(wàn)萬(wàn)股Pb0.5Sn0.5I3鈣鈦礦和PTAA:poly-TPDEBL的光電二極管性能（a）設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖。

回購(gòu)文獻(xiàn)鏈接：Ultralowdarkcurrentinnear-infraredperovskitephotodiodesbyreducingchargeinjectionandinterfacialchargegeneration(Nat.Commun.2021,12,7277)本文由大兵哥供稿。昂納這一理念受到了廣泛的關(guān)注。

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