在760℃下退火5分鐘(d)和20分鐘(e)的4Cu的ABF-STEM圖像(左)及其對(duì)應(yīng)的STEMEDS-SI圖像(右)，南非證明齊納釘住的證據(jù)。研究表明：遺故通過(guò)表面的共格界面缺陷表現(xiàn)出最高的氧結(jié)合能，導(dǎo)致氧化物在這些交叉點(diǎn)優(yōu)先成核。新春圖3真空和氫環(huán)境下裂紋尖端附近位錯(cuò)亞結(jié)構(gòu)的演變。

走基這樣便可以實(shí)現(xiàn)合金強(qiáng)塑性的提高。弱鍵理論（HEDE）得到了科學(xué)界的廣泛認(rèn)可，層廟該理論認(rèn)為氫原子在晶界上聚集到一定濃度能弱化晶界結(jié)合強(qiáng)度，導(dǎo)致開(kāi)裂。

本文提出的策略是3d打印后退火，南非以減少破壞單晶結(jié)構(gòu)的再結(jié)晶驅(qū)動(dòng)力。

遺故e,EBSD圖像質(zhì)量和顯示FNAT-m-47h水淬后全馬氏體組織的相圖。本文的方法和結(jié)果為儲(chǔ)氫材料的設(shè)計(jì)提供了新的指導(dǎo)方針，新春并提供了將機(jī)器學(xué)習(xí)納入高通量材料發(fā)現(xiàn)的新途徑。

走基相關(guān)研究成果以Fingerprintingdiversenanoporousmaterialsforoptimalhydrogenstorageconditionsusingmeta-learning為題發(fā)表在Sci.Adv.上。同時(shí)，層廟本文應(yīng)用元學(xué)習(xí)方法來(lái)預(yù)測(cè)合成和假設(shè)全硅沸石、超交聯(lián)聚合物(HCP)和MOF的最佳儲(chǔ)氫溫度。

圖七、南非全硅和鈣交換LTA型沸石中的氫吸附【小結(jié)】綜上所述，南非本文通過(guò)引入一種元學(xué)習(xí)模型，可以在很寬的溫度和壓力范圍內(nèi)準(zhǔn)確預(yù)測(cè)NPM的氫負(fù)載表面。近日，遺故美國(guó)明尼蘇達(dá)大學(xué)J.IljaSiepmann（通訊作者）描述了一種元學(xué)習(xí)方法，用于在單個(gè)機(jī)器學(xué)習(xí)模型中預(yù)測(cè)不同NPM的氣體吸附與溫度和壓力的函數(shù)關(guān)系。