2001-2008年在美國Nanosys高科技公司工作、聯(lián)防聯(lián)控力阻是該公司的聯(lián)合創(chuàng)始人之一,聯(lián)防聯(lián)控力阻歷任聯(lián)合技術(shù)顧問、先進技術(shù)科學(xué)家、先進技術(shù)高級科學(xué)家、先進技術(shù)部經(jīng)理和首席科學(xué)家。2014年獲得北京大學(xué)王選青年學(xué)者獎,東全同年,應(yīng)邀擔任英國皇家化學(xué)會期刊CatalysisScienceTechnology副主編。擊疫(4)生物醫(yī)學(xué)傳感與治療。

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2008年被聘為美國加州大學(xué)洛杉磯分校(UCLA)助理教授,聯(lián)防聯(lián)控力阻2012年和2013年分別晉升為終身副教授和教授,2013年被聘為湖南大學(xué)特聘教授?!綨ature、東全Science發(fā)文情況】本次調(diào)查報告以WebofScience為檢索工具,在2014年到2018年,中國高校參與及合作研究共在Nature和Science上發(fā)表101篇材料類文章。

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擊疫2005年入選中國科學(xué)院百人計劃。

1977年出生,聯(lián)防聯(lián)控力阻1997年本科畢業(yè)于中國科學(xué)技術(shù)大學(xué),1999和2002年分別獲得美國哈佛大學(xué)化學(xué)碩士和物理化學(xué)博士學(xué)位。(b)溶解-成核示意圖,東全紫色曲線:MAPbI3在GBL中的溶解度,藍色虛線:超溶度曲線。

同時,擊疫CMTP的MAPbI3X射線探測器的高性能可與傳統(tǒng)的高質(zhì)量CdZnTe器件相媲美,這表明CMTP是一種經(jīng)濟高效的生長高質(zhì)量電子級半導(dǎo)體單晶的方法。此外,聯(lián)防聯(lián)控力阻與ITC參照樣品相比,聯(lián)防聯(lián)控力阻CMTP生長的晶體的陷阱密度低至4.5×109cm-3,降低了近200%,遷移率高達150.2cm2V-1s-1,增長了187%,遷移率-壽命積高達1.6×10–3cm2V–1,增加了約450%。

東全(a)MAPbI3單晶(400)晶面的X射線搖擺曲線。擊疫(b)低溫253K下MAPbI3單晶記錄的典型γ射線譜。

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