目前材料的形貌表征已經(jīng)是絕大多數(shù)材料科學研究的必備支撐數(shù)據(jù)，起調一個新穎且引人入勝的形貌電鏡圖也是發(fā)表高水平論文的不二法門。Figure1.AnalysisofO-vacancydefectsonthereducedCo3O4nanosheets.(a)CoK-edgeXANESspectra,indicatingareducedelectronicstructureofreducedCo3O4.(b)PDFanalysisofpristineandreducedCo3O4nanosheets,suggestingalargevariationofinteratomicdistancesinthereducedCo3O4structure.(c)CoK-edgeEXAFSdataand(d)thecorrespondingk3-weightedFourier-transformeddataofpristineandreducedCo3O4nanosheets,demonstratingthatO-vacancieshaveledtoadefect-richstructureandloweredthelocalcoordinationnumbers.XRDXRD全稱是X射線衍射，自備責任即通過對材料進行X射線衍射來分析其衍射圖譜，自備責任以獲得材料的結構和成分，是目前電池材料常用的結構組分表征手段。XANES?X射線吸收近邊結構（XANES）又稱近邊X射線吸收精細結構（NEXAFS），電廠是吸收光譜的一種類型。

應拾此外還可用分子動力學模擬及蒙特卡洛模擬材料的動力學行為及結構特征。散射角的大小與樣品的密度、起調厚度相關，因此可以形成明暗不同的影像，影像將在放大、聚焦后在成像器件上顯示出來。

自備責任此外通過EAXFS證明了富含缺陷的四氧化三鈷中的Co具有更低的配位數(shù)。

Fig.2In-situXRDanalysisoftheinteractionsduringcycling.（a）XRDintensityheatmapfrom4oto8.5oofa2.4mgcm–2cellsfirstcycledischargeat54mAg–1andchargeat187.5mAg–1,wheretriangles=Li2S,square=AQ,asterisk=sulfur,andcircle=potentiallypolysulfide2θ.(b)ThecorrespondingvoltageprofileduringtheinsituXRDcyclingexperiment.材料形貌表征在材料科學的研究領域中，電廠常用的形貌表征主要包括了SEM，電廠TEM，AFM等顯微鏡成像技術。應拾申請及授權發(fā)明專利30余件。

圖3NVOPF/8%KB材料的電化學性能原位XRD測試表明Na3(VOPO4)2F/KB納米復合物在充放電過程中發(fā)生固溶反應，起調脫嵌鈉過程中的晶胞體積變化僅為0.47%，起調而非原位XRD測試表明純Na3(VOPO4)2F在充放電過程中的晶胞體積變化達5.23%。自備責任2008年加入中國科學院物理研究所清潔能源實驗室E01組工作至今。

結果顯示，電廠以NaVO3作為釩源僅需反應30min即可獲得目標正極，電廠產物XRD圖譜及相應的精修結果顯示所得氟磷酸釩鈉呈現(xiàn)I4/mmm純相結構，透射電鏡顯示產品由堆疊的納米顆粒組成，粒徑約為30nm。應拾2014-2015年美國國家橡樹嶺國家實驗室公派訪學。