羅鑫教授，林黛中山大學(xué)物理學(xué)院教授，林黛2011年于中山大學(xué)獲博士學(xué)位，2011年至2013年在新加坡高性能計算研究院擔(dān)任scientist,2013年至2017年在新加坡國立大學(xué)先進(jìn)二維材料研究中心任研究員，2017年至2018年在香港理工大學(xué)擔(dān)任獨(dú)立PI助理教授（研究），隨后就職于中山大學(xué)任正教授。【引言】對2D材料的研究不斷增加，愿意玉預(yù)示著一種新的凝聚態(tài)物理學(xué)分支的誕生，該物理學(xué)分支關(guān)注的是在原子級薄結(jié)構(gòu)中電子的描述。過渡金屬硫族化合物（TMDs）中的vdW間隙可以包含八面體和四面體的空位，娶薛也可以包含三角棱柱體的空位，娶薛這些空位為各種各樣的插層物提供了對接位點(diǎn)。

寶釵g）描繪ic-2D晶體逐層生長的示意圖。文獻(xiàn)鏈接：林黛Engineeringcovalentlybonded2Dlayeredmaterialsbyself-intercalation（Nature，林黛2020，DOI:10.1038/s41586-020-2241-9）【團(tuán)隊介紹】羅健平(LohKianPing)教授，新加坡國立大學(xué)化學(xué)系教授(ProvostsChairProfessor)，1996年于牛津大學(xué)獲得博士學(xué)位，1996年至1998年在日本國家材料科學(xué)研究所從事博士后研究，隨后就職于新加坡國立大學(xué)，為終身正教授。

通過在高金屬化學(xué)勢下進(jìn)行生長，愿意玉可以得到一系列鉭嵌入的TaS(Se)y自插層化合物，愿意玉包括25％Ta嵌入的Ta9S16、33.3％Ta嵌入的Ta7S12，50％Ta嵌入的Ta10S16，66.7％Ta嵌入的Ta8Se12（形成Kagome晶格）和100％Ta嵌入的Ta9Se12。

然而，娶薛到目前為止，利用高金屬化學(xué)勢的TMDs的生長窗口還未被深入挖掘探索。在儲能（如電池、寶釵電容）和環(huán)境（如吸附金屬離子污染）領(lǐng)域，這類策略一般能夠湊效。

當(dāng)排除了各種因素的干擾以后，林黛作者們發(fā)現(xiàn)，林黛相比于在重堆疊過程中形成較為疏松（層間距約1nm）結(jié)構(gòu)的MoS2，重堆疊為最緊密（層間距0.62nm）結(jié)構(gòu)的MoS2意外地顯示出較高的HER活性。愿意玉圖四對不同MoS2多層結(jié)構(gòu)的HER性能的DFT計算。

重堆疊的MoS2可利用離子液體調(diào)控層間距，娶薛離子液體在完成后可完全除去。這類研究最大的挑戰(zhàn)在于MoS2電催化體系的復(fù)雜性，寶釵即其活性取決于化學(xué)組成、1T/2H相比例、電導(dǎo)率、傳質(zhì)等因素的共同作用。