ZNDS智能電視網(wǎng)獲悉，染物樂視視頻官宣雙11期間樂視視頻APP取消會(huì)員付費(fèi)，所有內(nèi)容0元看三星和LG并未明確說明何時(shí)推出產(chǎn)品，綜合報(bào)道稱最早預(yù)計(jì)在明年上半年?！鴪D為高通第二代驍龍XR2平臺(tái)預(yù)計(jì)三星和LG將基于第三代芯片制造XR終端，排放以應(yīng)對(duì)Meta的Quest和蘋果的VisionPro等產(chǎn)品。

同時(shí)，標(biāo)準(zhǔn)司宏國稱目前計(jì)劃在明年第一季度推出下一代XR芯片，標(biāo)準(zhǔn)將比MetaQuest頭顯采用的第二代芯片（XR2）更加先進(jìn)，預(yù)計(jì)在圖形處理能力、視頻透視能力和AI性能均會(huì)優(yōu)于第二代芯片。注：安徽三星、安徽高通和谷歌曾于今年2月宣布結(jié)成XR聯(lián)盟，LG總裁趙柱完（音譯）也在今年7月舉行的中長期業(yè)務(wù)戰(zhàn)略新聞發(fā)布會(huì)上談到XR時(shí)表示，當(dāng)時(shí)正與幾家公司接觸并研究商業(yè)化的可能性。

司宏國表示，省南湖水污LG在多個(gè)領(lǐng)域具有專長，而三星自從宣布與高通、谷歌合作以來，就已經(jīng)取得了很多進(jìn)展。

司宏國對(duì)XR設(shè)備的前景表示看好：流域我們認(rèn)為2024年將是VR、AR設(shè)備的增長高峰年，未來2-5年是持續(xù)增長期。【研究進(jìn)展】近日，染物中山大學(xué)匡代彬教授和蘇成勇教授（共同通訊作者）在Angew.Chem.Int.Ed.上發(fā)表了名為HighlyRedEmissiveLead-FreeIndium-BasedPerovskiteSingleCrystalforSensitiveWaterDetection的文章。

得益于Cs2AgBiBr6納米晶大的比表面積、綜合優(yōu)異的載流子傳輸性質(zhì)及合適的能帶結(jié)構(gòu)等優(yōu)勢(shì)，綜合研究人員將其應(yīng)用于光催化CO2反應(yīng)，得到利用價(jià)值高的產(chǎn)物CO和CH4，并獲得了較好的催化性能。相關(guān)研究成果如下：排放1、排放Y.F.Xu,X.D.Wang,J.F.Liao,B.X.Chen,H.Y.Chen,D.B.Kuang,Amorphous-TiO2-EncapsulatedCsPbBr3NanocrystalCompositePhotocatalystwithEnhancedChargeSeparationandCO2Fixation.Adv.Mater.Interfaces2018,5,1801015.2、Y.F.Xu,M.Z.Yang,H.Y.Chen,J.F.Liao,X.D.Wang,D.B.Kuang,EnhancedSolar-DrivenGaseousCO2ConversionbyCsPbBr3Nanocrystal/PdNanosheetSchottky-JunctionPhotocatalyst.ACSAppl.EnergyMater.2018,1,5083-5089.3、Z.C.Kong,J.F.Liao,Y.J.Dong,Y.F.Xu,H.Y.Chen,D.B.Kuang,C.Y.Su,Core@ShellCsPbBr3@ZeoliticImidazolateFrameworkNanocompositeforEfficientPhotocatalyticCO2Reduction.ACSEnergyLett.2018,3,2656-2662.4、M.Z.Yang,Y.F.Xu,J.F.Liao,X.D.Wang,H.Y.Chen,D.B.Kuang,ConstructingCsPbBrxI3-xnanocrystal/carbonnanotubecompositeswithimprovedchargetransferandlightharvestingforenhancedphotoelectrochemicalactivity.J.Mater.Chem.A,2019,DOI:10.1039/c8ta11760h.5、X.D.Wang,N.Miao,J.F.Liao,W.Q.Li,Y.Xie,J.Chen,Z.Sun,H.Y.Chen,D.B.Kuang,Top-downsynthesisofsinglelayeredCs4CuSb2Cl12halideperovskitenanocrystalsforphotoelectrochemicalapplication.Nanoscale,2019,DOI:10.1039/C9NR00375D.（二）鹵化物鈣鈦礦單晶及其光電應(yīng)用·Adv.Mater.：大尺寸MAPbBr3鈣鈦礦晶體薄片的生長中山大學(xué)化學(xué)學(xué)院饒華商博士（第一作者）、匡代彬教授（通訊作者）等人發(fā)展了一種空間限域反溫度結(jié)晶（SLITC）的方法，在FTO玻璃上原位制備鈣鈦礦晶體膜，該方法具有原位生長、面積大、厚度可控以及晶體質(zhì)量高等優(yōu)點(diǎn)，并成功制備了120cm2的MAPbBr3晶體膜，實(shí)現(xiàn)了0.1~0.8mm范圍內(nèi)的晶體膜厚的調(diào)節(jié)。

標(biāo)準(zhǔn)(d)Cs2InBr5H2O的變溫?zé)晒庾V圖。然而，安徽當(dāng)脫水材料置于濕度環(huán)境下，又迅速吸水生成Cs2InBr5·H2O，同時(shí)熒光也得以恢復(fù)。