圖3.第一性原理計(jì)算相關(guān)：工廠FAPbI3與FASnI3以相對(duì)化學(xué)勢(shì)函數(shù)的熱平衡生長(zhǎng)條件的相圖，符合兩種鈣鈦礦熱力學(xué)平衡生長(zhǎng)條件的區(qū)域用紅色標(biāo)記。錫基鈣鈦礦最嚴(yán)重的問題在于其更容易受到氧氣的影響（Sn2+易被氧化為Sn4+），揭榜這一缺點(diǎn)雖然已引起廣泛的研究，揭榜然而它們?cè)谕瑫r(shí)光照和氧氣暴露的條件下的穩(wěn)定性尚待探索。一般來講，單位氧氣分子可以擴(kuò)散到鈣鈦礦晶格中，單位在光照下接受來自鈣鈦礦的光激發(fā)電子以形成超氧離子，該活性超氧離子（O2-）可以通過破壞鈣鈦礦ABX3結(jié)構(gòu)中的B-X鍵使得鈣鈦礦的有機(jī)陽離子去質(zhì)子化，從而導(dǎo)致鈣鈦礦材料發(fā)生降解。

到目前為止，名單缺少關(guān)于超氧離子對(duì)錫基鈣鈦礦的光氧穩(wěn)定性的潛在影響研究，其潛在機(jī)制尚不清楚。另一方面，年度雖然封裝被普遍應(yīng)用，可以在很大程度上防止氧氣擴(kuò)散到錫基鈣鈦礦器件中。

最終，智能制造本文的優(yōu)化方法顯著改善了器件的光氧穩(wěn)定性與光電轉(zhuǎn)化效率。

2011年在（新加坡）南洋理工大學(xué)獲博士學(xué)位，示范先后在（美國(guó)）密歇根大學(xué)、佛羅里達(dá)大學(xué)、托萊多大學(xué)作為博士后和研究助理教授開展工作。工廠(d-e)探測(cè)器在偏置為0.7和-1.5V時(shí)的探測(cè)度。

揭榜(d)探測(cè)器的模擬光場(chǎng)分布圖。單位這種不需要光學(xué)透鏡實(shí)現(xiàn)波長(zhǎng)選擇性的器件設(shè)計(jì)也有利于雙可見光和近紅外光成像的PD陣列制備。

在Nature,Science,NaturePhotonics,Chem.Rev.,Joule,Adv.Mater.,Nat.Commun.等國(guó)際期刊上發(fā)表論文260余篇，名單被引約33000次，名單H-指數(shù)為96，并連續(xù)于2014至2021年度入選ESI全球高被引科學(xué)家?！狙芯扛攀觥坑需b于此，年度清華大學(xué)深圳國(guó)際研究生院的韋國(guó)丹課題組及其合作者香港城市大學(xué)葉軒立課題組基于鈣鈦礦半導(dǎo)體材料和有機(jī)半導(dǎo)體材料，年度設(shè)計(jì)了一種ITO/電子傳輸層/鈣鈦礦可見光吸收層/有機(jī)近紅外光吸收層/電子傳輸層/Ag結(jié)構(gòu)的雙波段可切換的光電探測(cè)器，實(shí)現(xiàn)了在不同偏壓下可切換的可見/近紅外雙波段探測(cè)，并有望用于多色成像和光通信等領(lǐng)域。