重含量Cu摻雜可以在GeTe中獲得Cu2Te納米晶第二相，撮合成交Cu2Te納米晶形成聲子散射中心調(diào)控GeTe的聲子輸運過程，撮合成交使Ge0.9In0.015Cu0.125Te材料的晶格熱導(dǎo)率在823K下降到0.31Wm-1K-1，低于理論計算的GeTe材料非晶極限值。同時In摻雜在GeTe費米能級附近產(chǎn)生共振態(tài)能級，為何能夠提升材料的塞貝克系數(shù)，為何In、Cu雙摻還能顯著提高GeTe材料載流子遷移率，從而使材料功率因子顯著提升，將GeTe材料的熱電優(yōu)值ZT提升至2.0。作為窄禁帶半導(dǎo)體，高于GeTe具有高濃度空穴載流子（~1021cm-3），使其具有高熱導(dǎo)率和低塞貝克系數(shù)，從而導(dǎo)致其熱電性能不高。

論文信息AchievingUltralowLatticeThermalConductivityandHighThermoelectricPerformanceinGeTeAlloysviaIntroducingCu2TeNanocrystalsandResonantLevelDopingQingtangZhang,YongshengZhang,YueleiZhu,ZhuoyangTi,YangCao,ShuangLi,MeiyuWang,DiLi,BoZou,YunxiangHou,PengWang*,GuodongTang*,?ACSNano.文獻(xiàn)鏈接：復(fù)盤https://doi.org/10.1021/acsnano.1c05650（ACSNano，復(fù)盤2021，DOI:10.1021/acsnano.1c05650）本文由作者投稿。河南這種電聲協(xié)同效應(yīng)導(dǎo)致GeTe材料熱電優(yōu)值從0.8提升至2.0。

集中交易結(jié)果價差GeTe材料有望取代碲化鉛成為一種十分理想的環(huán)境友好型熱電材料。

圖1In、撮合成交Cu摻雜引入Cu2Te納米晶、撮合成交共振能級示意圖In、Cu雙摻優(yōu)化載流子濃度的同時提高了載流子遷移率，同時In摻雜引入共振能級提高了塞貝克系數(shù)，從而實現(xiàn)了功率因子的大幅提升。緊跟物聯(lián)網(wǎng)時代凸顯創(chuàng)新優(yōu)勢在倡導(dǎo)新零售、為何宣揚消費升級的時代精神下，星港家居大膽加速品牌的蛻變步伐。

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