然而，狂攻由于不可避免的化學無序和缺陷誘導的帶隙態(tài)，狂攻傳統(tǒng)的金屬：半導體（MS）界面通常遭受強費米爾釘扎，從而限制了柵的可調(diào)控性【研究簡介】近日，清華大學精密儀器系李黃龍副教授（通訊作者）及其博士后呂娟（第一作者）在Adv.Mater.上發(fā)表了一篇題目為ANewOpportunityfor2DvanderWaalsHeterostructures:MakingSteep-SlopeTransistors的研究成果。文獻鏈接：完全ANewOpportunityfor2DvanderWaalsHeterostructures:MakingSteep-SlopeTransistors,2019,Adv.Mater.DOI:10.1002/adma.201906000.清華大學精密儀器系李黃龍副教授團隊致力于低功耗、完全高速度、新架構芯片的元器件和材料研究，近年來在神經(jīng)形態(tài)器件（TrulyConcomitantandIndependentlyExpressedShort‐andLong‐TermPlasticityinaBi2O2Se‐BasedThree‐TerminalMemristor,Adv.Mater.2019,31,1805769)和超陡亞閾值擺幅晶體管(ANewOpportunityfor2DvanderWaalsHeterostructures:MakingSteep-SlopeTransistors,Adv.Mater.2019,1906000)方面取得重要的階段性突破。樣屏指南石墨烯和InSe的電子態(tài)分別用紅色和黑色曲線表示。

告躲【小結】本文研究了二維vdW-MS異質結在超陡亞閾值擺幅CS-FET中的應用潛力。幕后面瘋這項工作為基于二維材料的低功耗電子器件提供了新的機遇。

除了選擇具有所需態(tài)密度-能量關系（D(E)）的源材料外，狂攻設計柵可調(diào)溝道勢壘的源-溝道界面對CS-FET至關重要。

研究發(fā)現(xiàn)，完全石墨烯可以通過與InSe的界面作用，在Dirac點附近出現(xiàn)自發(fā)的p型摻雜和微開的帶隙，導致熱載流子密度隨n型溝道勢壘的增加呈指數(shù)衰減。樣屏指南e）SOR生物傳感器I-V曲線隨TENG電壓處理次數(shù)的變化圖。

告躲【圖文導讀】圖1肖特基/歐姆接觸可逆轉變多功能生物傳感器概念圖肖特基/歐姆接觸可逆轉變生物傳感器（SOR生物傳感器）用于高靈敏度神經(jīng)遞質和神經(jīng)電脈沖檢測。幕后面瘋作者使用同一個SOR生物傳感器在肖特基接觸狀態(tài)實現(xiàn)了對低濃度多巴胺分子的檢測（0.5μmol/mL）。

在本論文中，狂攻同一個SOR生物傳感器在肖特基接觸狀態(tài)實現(xiàn)了對低濃度多巴胺（0.5μmolmL-1）的高靈敏度檢測，狂攻經(jīng)TENG處理轉變?yōu)闅W姆接觸后，SOR生物傳感器對神經(jīng)電脈沖的靈敏度提高了16倍。b）SOR器件轉變前后的I–V曲線變化圖（肖特基接觸：完全橙色，轉變后的歐姆接觸：紫色）。