珍珠正極復(fù)合材料通常由80wt%CAM和20wt%Li2In1/3Sc1/3Cl4組成。EIS和TOF-SIMS結(jié)果表明CAMs與氯化物SE之間存在穩(wěn)定的界面，行業(yè)證實(shí)了Li2In1/3Sc1/3Cl4與未包覆氧化物CAMs接觸時(shí)具有較高的氧化穩(wěn)定性和化學(xué)相容性。對(duì)充電至4.3V的NCM85ASSB進(jìn)行長期EIS測量，小秘密圖6e中相應(yīng)的奈奎斯特圖顯示160次循環(huán)后內(nèi)阻沒有增加。

使用Li2In1/3Sc1/3Cl4作為固態(tài)電解質(zhì)和未包覆的CAM（裸LCO、珍珠裸NCM622或NCM85）和In/InLi作為負(fù)極的ASSB以驗(yàn)證電化學(xué)Li2In1/3Sc1/3Cl4的性能。此外，行業(yè)由于LCO的高電子電導(dǎo)率，行業(yè)超高負(fù)載ASSB（52.46mgcm-2、7.2mAhcm-2）在25°C和4.5mAhcm-2下可提供3mAhcm-2的穩(wěn)定面積容量，在50°C和1.20mAcm-2的高電流密度下，超過500次循環(huán)沒有容量衰減（圖5c）。

圖6a-c顯示了EIS光譜，小秘密它監(jiān)測了NCM622ASSB在第一個(gè)循環(huán)期間在2.8和4.6V之間循環(huán)的內(nèi)阻演變。

第一作者：珍珠LaidongZhou通訊作者：LindaF.Nazar通訊單位：加拿大滑鐵盧大學(xué)、美國阿貢國家實(shí)驗(yàn)室論文doi：https://doi.org/10.1038/s41560-021-00952-0。高通技術(shù)公司副總裁兼XR部門總經(jīng)理司宏國（HugoSwart）日前在美國毛伊島上的活動(dòng)中表示，行業(yè)關(guān)于合作目前不能透露細(xì)節(jié)，行業(yè)但我們確實(shí)在與三星電子、LG電子合作。

同時(shí)，小秘密司宏國稱目前計(jì)劃在明年第一季度推出下一代XR芯片，小秘密將比MetaQuest頭顯采用的第二代芯片（XR2）更加先進(jìn)，預(yù)計(jì)在圖形處理能力、視頻透視能力和AI性能均會(huì)優(yōu)于第二代芯片。據(jù)韓媒etnews今日?qǐng)?bào)道，珍珠三星和LG已被證實(shí)正在開發(fā)基于高通芯片的XR設(shè)備。

司宏國表示，行業(yè)LG在多個(gè)領(lǐng)域具有專長，而三星自從宣布與高通、谷歌合作以來，就已經(jīng)取得了很多進(jìn)展雖然上述ASSBs在6-8mgcm-2的典型正極負(fù)載下表現(xiàn)出優(yōu)異的電化學(xué)性能，小秘密但本工作希望增加負(fù)載以提供與商業(yè)LIBs相當(dāng)?shù)拿娣e容量（通常3mAhcm-2）。