【圖文導(dǎo)讀】圖一、脫脂多值邏輯門的基礎(chǔ)(a)在ITRS2013,ITRS2015,IRDS2017和IRDS2020中報(bào)告了針對(duì)高性能邏輯門長(zhǎng)度在半導(dǎo)體技術(shù)方面的預(yù)計(jì)進(jìn)展。迄今為止,純牛根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS)的預(yù)測(cè),純牛半導(dǎo)體技術(shù)一直在發(fā)展,但現(xiàn)在正處于飽和或取得突破的十字路口,以在未來10年中進(jìn)一步發(fā)展。歡迎大家到材料人宣傳科技成果并對(duì)文獻(xiàn)進(jìn)行深入解讀,盒裝投稿郵箱[email protected]。

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同時(shí)對(duì)具有代表性的MVL門的通用格式的評(píng)估,包郵揭示了組件器件為實(shí)現(xiàn)理想的寬范圍運(yùn)行而需要滿足的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。(b,德亞德國(guó)c)值線圖和NDR傳遞特性。

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(d,原裝9元f)二值逆變器和STI在輸入電壓波動(dòng)下的時(shí)間響應(yīng)。

進(jìn)口(b)電路復(fù)雜度的理論估計(jì)。文獻(xiàn)鏈接:脫脂RecentAdvancesonMultivaluedLogicGates:AMaterials?Perspective(AdvancedScience,2021,10.1002/advs.202004216)本文由材料人CYM編譯供稿。

純牛(b)SOI襯底上QDGFET的器件幾何形狀。迄今為止,盒裝根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS)的預(yù)測(cè),盒裝半導(dǎo)體技術(shù)一直在發(fā)展,但現(xiàn)在正處于飽和或取得突破的十字路口,以在未來10年中進(jìn)一步發(fā)展。

包郵(d)用于極化子限制的基于III-V半導(dǎo)體的納米腔。圖三、德亞德國(guó)多值邏輯門的新興材料研究(a,b)Ge2Sb2Te5納米線的TEM圖像,以及其元素和空間分布。

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