電學研究結(jié)果表明,大突多項多這種方法制備的GNR具有高的材料質(zhì)量,其高的遷移率和大的帶隙可滿足集成電路應(yīng)用的需要。而且,破性G峰的偏移率在4.0GPa附近發(fā)生變化。亮點領(lǐng)跑通過使用透射電子電鏡(TEM)和掃描透射電子顯微鏡(STEM)研究人員可以清晰地區(qū)分CNT和被壓扁的GNR。

山東2022年數(shù)字經(jīng)濟十大突破性亮點公布 多項指標強勢領(lǐng)跑,多個

公布下圖d中的邊緣打開的GNR的寬度為3.3±0.3nm。強勢相關(guān)研究結(jié)果近日被發(fā)表在NatureElectronics期刊上(NatureElectronics,2021,?4:653-663)。

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由于邊緣曲率的存在,山東此時GNR的邊緣處于高應(yīng)變狀態(tài),山東這導(dǎo)致邊緣處的碳原子與硝酸的反應(yīng)活性比中心區(qū)域的碳原子要高得多,從而可實現(xiàn)選擇性的邊緣刻蝕。

當壓力卸壓后拉曼光譜中RBM峰沒有明顯的恢復(fù)(上圖b,年數(shù)右),表明大多數(shù)CNT發(fā)生了不可逆的徑向變形。字經(jīng)指標這種制備方法也有望被拓廣應(yīng)用于其它富勒烯材料和納米管狀材料上。

大突多項多一種解決方案是制備和使用一維的石墨烯納米帶(GrapheneNanoribbons,GNRs)。由于邊緣散射效應(yīng),破性GNR的遷移率和電導(dǎo)率高度依賴于邊緣粗糙度,所以渴望制得具有光滑邊緣、大帶隙和高遷移率的窄且長的GNR。

閉合/開放邊緣石墨烯納米帶的顯微形貌理論研究表明,亮點領(lǐng)跑隨著壓力增加CNT的徑向橫截面會先從圓形變?yōu)闄E圓形、亮點領(lǐng)跑然后變成花生形狀并最終坍塌,發(fā)生坍塌所需要的壓力取決于CNT直徑。邊緣光滑、公布帶隙大和遷移率高的窄且長的GNR的制備依然是一個大的挑戰(zhàn)。

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