現(xiàn)貨(b)不同掃描速率下的混合鈣鈦礦太陽能電池的滯回。(e)?在鈣鈦礦中引入PCBM、市場PEG對鈣鈦礦太陽能電池滯回效應(yīng)的影響。作者提出，電力滯回現(xiàn)象是非常復(fù)雜的現(xiàn)象，可能不是單單由一種機理導(dǎo)致的，可能是各種效應(yīng)的綜合體現(xiàn)。

【圖文解析】圖1.該綜述的行文思路圖2.過去幾年有關(guān)鈣鈦礦太陽能電池的出版物數(shù)量圖3.染料敏化太陽能電池(a)和鈣鈦礦太陽能電池(b)的工作原理圖圖4.ABX3鈣鈦礦的晶體結(jié)構(gòu)和平面P-I-N結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽能電池中常用材料的能級示意圖圖5.鈣鈦礦太陽能電池中的四種器件結(jié)構(gòu)(a.介孔結(jié)構(gòu)，改革b.超介孔結(jié)構(gòu)，改革c.平板n-i-p結(jié)構(gòu)，d.平板p-i-n結(jié)構(gòu))圖6.不同類型的滯回效應(yīng)(a.正常滯回，b.無滯回，c.反滯回)?圖7.掃描速率與鈣鈦礦晶粒尺寸對滯回效應(yīng)的影響(a)?不同掃描速率下的MAPbI3鈣鈦礦太陽能電池的滯回?？偟脕碚f，建設(shè)要想獲得高效率并且低滯回的鈣鈦礦太陽能電池需要重視鈣鈦礦層的質(zhì)量、能帶匹配，界面調(diào)控等問題。

圖8.不同空穴傳輸材料對器件遲滯的影響圖9.測試條件對混合維鈣鈦礦太陽能電池滯回的影響圖10.離子遷移機理影響滯回解釋模型(a)?I-離子遷移到八面體邊緣，現(xiàn)貨Pb2+沿對角線方向移動。

(f)?在正掃和反掃下分別測量了以PCBM為模板，市場以α‐bis‐PCBM為模板和無模板的鈣鈦礦太陽能電池的I-V曲線。在單分子量子干涉方面，電力我們利用singlemoleculebreakjunction與電化學(xué)結(jié)合的方法觀測單分子的量子干涉效應(yīng)，及其對單分子電荷傳輸?shù)挠绊憽?/p>

改革圖六：分子與電極的接觸構(gòu)型和傳遞函數(shù)（a）用于傳遞計算的典型接觸構(gòu)型?！境晒喗椤拷?，建設(shè)亞利桑那州立大學(xué)、建設(shè)南京大學(xué)特聘教授陶農(nóng)建聯(lián)合日本AIST的YoshihiroAsai教授以及復(fù)旦大學(xué)周剛教授，通過singlemoleculebreakjunction技術(shù)結(jié)合電化學(xué)調(diào)控，測量單分子電導(dǎo)并繪制電極費米能級周圍單個分子的傳遞函數(shù)，并研究與相長和相消干涉相關(guān)的特征。

這使得單分子電導(dǎo)的門控可以基于量子干涉效應(yīng)，現(xiàn)貨而非基于傳統(tǒng)場效應(yīng)管中的在劉子密度，現(xiàn)貨從而測量了單分子的傳遞函數(shù)并直接研究了最顯著的量子干涉特征，包括相消干涉的反共振現(xiàn)象。(6)JieBai,AbdalghaniDaaoub,SaraSangtarash,XiaohuiLi,YongxiangTang,QiZou,HatefSadeghi,ShuaiLiu,XiaojuanHuang,ZhibingTan,JunyangLiu,YangYang,JiaShi,GáborMészáros,WenboChen,ColinLambertWenjingHong.?Anti-resonancefeaturesofdestructivequantuminterferenceinsingle-moleculethiophenejunctionsachievedbyelectrochemicalgating.NatureMaterials(2019)(justpublished)(7)BingHuang,XuLiu,YingYuan,Ze-WenHong,Ju-FangZheng,Lin-QiPei,YongShao,Jian-FengLi,Xiao-ShunZhou,Jing-ZheChen,ShanJin,andBing-WeiMao.ControllingandObservingSharp-ValleyedQuantumInterferenceEffectinSingleMolecularJunctions.J.Am.Chem.Soc.,2018,140(50),pp17685–17690本文由材料人計算組大兵哥供稿，市場材料牛整理編輯。