圖三、長(zhǎng)王程二次離子3D分布圖（a-c）從原始液相SIMS數(shù)據(jù)重新繪制的離子分布圖。【圖文導(dǎo)讀】圖一、政濤主網(wǎng)固-液界面原位液相SIMS分析示意圖（a）使用薄氮化硅（Si3N4）膜將液體與高真空隔開(kāi)。研究方向?yàn)槎坞x子質(zhì)譜及其在生物、投產(chǎn)環(huán)境和材料分析領(lǐng)域的應(yīng)用，是世界著名二次離子質(zhì)譜專家。

項(xiàng)配項(xiàng)進(jìn)一步通過(guò)MD模擬可視化技術(shù)探索了該雙電層的詳細(xì)分子級(jí)結(jié)構(gòu)。原則上，網(wǎng)工同樣的策略也可以用來(lái)研究正極-電解質(zhì)界面層。

（c）在0V時(shí)，國(guó)網(wǎng)工程在電極/電解質(zhì)界面上形成內(nèi)部SEI層，在多孔Cu電極的兩面均有。

山西這種理解SEI中的化學(xué)深度分布將有助于設(shè)計(jì)更好的電池的界面層。值得一提的是，電力董事底前Fe82B18合金具有較低的熔點(diǎn)（~1174oC），電力董事底前該合金不僅可以持續(xù)提供B源，還可以催化N2裂解形成N原子，促進(jìn)合金體系中B原子與N原子化合形成B-N對(duì)并溶解至液態(tài)合金中，通過(guò)液態(tài)合金中存在的大量空位所構(gòu)成的擴(kuò)散通道擴(kuò)散至液態(tài)Fe82B18合金/固態(tài)sapphire襯底界面形成h-BN，進(jìn)一步利用sapphire與h-BN取向關(guān)系促進(jìn)多層h-BN外延生長(zhǎng)（圖1d）。

主要從事研究低維碳基系統(tǒng)物理研究，長(zhǎng)王程采用電學(xué)和光學(xué)探測(cè)手段在極端物理?xiàng)l件下（極低溫度，超強(qiáng)磁場(chǎng)）來(lái)研究其介觀物理輸運(yùn)性質(zhì)。在Nat.Mater.,Nat.Commun.,Adv.Sci.,Nano.Lett.,ACSNano等學(xué)術(shù)期刊上發(fā)表高水平論文多篇，政濤主網(wǎng)引用5000余次，h因子為26。

原位APXPS等系列表征分析了B-N形成和生長(zhǎng)過(guò)程，投產(chǎn)進(jìn)一步提出了溶解-擴(kuò)散-外延生長(zhǎng)新機(jī)制。通過(guò)測(cè)量不同厚度多層h-BN的力-位移曲線，項(xiàng)配項(xiàng)CVD法所得多層h-BN的楊氏模量約為1.04±0.1TPa，接近理論計(jì)算數(shù)值（圖2c）。