可再(E)PMG-5//NHRGO非對稱超級(jí)電容器的Ragone圖。因此,源應(yīng)用致密的MXene薄膜一般表現(xiàn)出較低的比電容(100-300F·g-1)和較差的倍率性能。(E,學(xué)校F)NHRGO樣品的XPS譜圖:(E)C1s譜圖。

福建:深入推進(jìn)可再生能源在學(xué)校建設(shè)領(lǐng)域的規(guī)?;瘧?yīng)用

建設(shè)(C)ASC在不同電流密度條件下的恒流充放電曲線。(C)Zn-MXene、領(lǐng)域PMG-5和PMG-10樣品不同掃描速率下的質(zhì)量比容量。

福建:深入推進(jìn)可再生能源在學(xué)校建設(shè)領(lǐng)域的規(guī)?;瘧?yīng)用

結(jié)果表明,?;c純MXexe和鋅粉還原的MXene(Zn-MXene)樣品相比,PMG-5(石墨烯含量5%)復(fù)合材料的抗氧化能力明顯增強(qiáng),60天后電導(dǎo)率沒有明顯下降。

福建(b)加入鋅粉劇烈搖動(dòng)后。然而,深入生此類非常規(guī)相金屬納米晶通常具有特殊的結(jié)構(gòu),當(dāng)被用為模板時(shí),其特殊結(jié)構(gòu)通常會(huì)影響二次金屬的成核與生長,此種影響仍需系統(tǒng)研究。

在B型異質(zhì)結(jié)構(gòu)中,推進(jìn)Rh納米棒生長在兩個(gè)2H/fcc對邊和兩個(gè)2H/fcc基面的2H相區(qū)域和fcc相的層錯(cuò)/孿晶區(qū)域,呈現(xiàn)中等程度的位點(diǎn)選擇性和生長密度??稍賵D3A型1D/2DRh-Au異質(zhì)結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)表征(a)典型A型異質(zhì)結(jié)構(gòu)的TEM圖像。

源應(yīng)用(e)C型Rh-Au異質(zhì)結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性測試。在A型異構(gòu)中,學(xué)校Rh納米棒只生長在兩個(gè)2H/fcc對邊的2H相區(qū)域和fcc相的層錯(cuò)/孿晶區(qū)域,呈現(xiàn)高的位點(diǎn)選擇性和低的生長密度。

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