獨特的納米線陣列結(jié)構(gòu)與橫向鈍化PAM改善了材料和器件的電氣穩(wěn)定性，快物也為未來的高密度存儲鋪平了道路。聯(lián)網(wǎng)力行(D-E)單個銀原子從初始穩(wěn)定位擴散到下一個穩(wěn)定位的能量分布圖。在這方面，電業(yè)深電隔離納米線Re-RAMs有望實現(xiàn)高器件集成密度。
對接度融迄今為止報道的大多數(shù)傳統(tǒng)鈣鈦礦開關(guān)層都是大塊薄膜形式。范智勇Sci.Adv.基于三維鈣鈦礦納米線陣列超快電阻存儲器【引言】神經(jīng)形態(tài)計算、物聯(lián)網(wǎng)規(guī)復雜的生物電子模塊和大數(shù)據(jù)分析的發(fā)展給高性能的非易失性存儲器帶來了重大機遇。
劃加合基于薄膜的Re-RAMs的一個典型缺點是在環(huán)境敏感的開關(guān)介質(zhì)中缺乏保護。
快物重點研究了器件切換速度和保留時間之間的平衡關(guān)系。這種材料——C3N雙層材料——有潛力擴展納米電子學的能力，聯(lián)網(wǎng)力行在更小的區(qū)域?qū)崿F(xiàn)更多的功能。
據(jù)報道，電業(yè)深大多數(shù)二維半導體(包括過渡金屬二鹵族(TMDs)、黑磷(BP)和硒化銦)的禁帶隨厚度的增加而減小。對接度融圖4.?外加電場誘導的C3N雙層帶隙工程。
物聯(lián)網(wǎng)規(guī)小結(jié)C3N雙層的帶隙可以通過控制疊加順序或外加電場的作用而得到有效的調(diào)制。廣泛可調(diào)諧的帶隙，劃加合以及高穩(wěn)定性、大載流子遷移率和高開/關(guān)比的組合，使C3N雙層成為碳基FET以及其他電子和光電器件的有前途的材料
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