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建設這些見解有助于通過材料工程對超強金屬的持續(xù)研究。將傳統(tǒng)的界面效應轉化為體效應，觀點從而使瞬時功率密度比受界面效應限制的等效器件提高幾個數量級。

Nature：｜電一種超平滑石墨烯薄膜的CVD制備方法化學氣相沉積法生長的石墨烯薄膜具有不同尋常的物理和化學性質，｜電有望應用于柔性電子和高頻晶體管等領域。

[4]圖4.石墨烯皺紋形成和避免的示意圖Nature：網態(tài)非范德華固體向二維過渡金屬硫族化合物的轉化雖然二維原子層，網態(tài)如過渡金屬硫族化合物，已經被廣泛地利用剝離和氣相生長等技術合成，但要獲得相控的二維結構仍然是一個挑戰(zhàn)。但是，勢感由于激光激發(fā)時在界面處產生的誘導等離子體，使襯底表面產生了粗糙度，粗糙度范圍為60~90nm。

知及化學lift-off是一種通過在有源器件層和襯底之間插入可選擇性蝕刻的犧牲層來制備獨立式外延薄膜的方法。預測應用2DLT技術利用了vdWE和外延技術的優(yōu)點來生成free-standing單晶膜。

Liftoff方法能夠將epilayer轉移到任何的襯底上，建設并且如果襯底在liftoff過程中沒有損壞，昂貴的襯底還可以反復使用，從而降低器件生產的總成本。[20]圖7（中）顯示了采用化學外延lift-off和kirigami線切割圖形制作的集成薄膜晶體GaAs太陽能電池，觀點顯示出接近單軸跟蹤性能。

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