格降(d)一處在873K燒結(jié)樣品中觀察到的位錯(cuò)網(wǎng)絡(luò)。因此，比微合理利用本征Ge空位構(gòu)建高維缺陷結(jié)構(gòu)成為了解決上述難題的新思路。?四、份7房?jī)r(jià)房?jī)r(jià)房環(huán)小結(jié)綜上所述，該研究工作提出了一種缺陷結(jié)構(gòu)工程的新思路。

此外，城出爐高維缺陷的構(gòu)建弱化了載流子散射，提升了電輸運(yùn)性能，最終在648K獲得了大于2.3的ZT值，在300K到798K的范圍內(nèi)獲得了1.56的平均熱電優(yōu)值（圖1）。另外一方面，濟(jì)南研究人員對(duì)電輸運(yùn)性能進(jìn)行了測(cè)試與表征，濟(jì)南發(fā)現(xiàn)缺陷工程調(diào)控Ge空位不僅沒(méi)有惡化電性能，而且在不影響Seebeck系數(shù)的前提下，提高了Hall遷移率和電導(dǎo)率，實(shí)現(xiàn)了電導(dǎo)率與Seebeck系數(shù)的解耦，大幅提升了體系的功率因子。

格降(b)873K燒結(jié)樣品的室溫晶格熱導(dǎo)率與723K燒結(jié)樣品的對(duì)比。

比微?????圖1.缺陷結(jié)構(gòu)演化實(shí)現(xiàn)對(duì)電聲輸運(yùn)性能的協(xié)同調(diào)控。份7房?jī)r(jià)房?jī)r(jià)房環(huán)（c）積分gO-H(r)表示不同r(O-H)距離下O除以H的CN。

城出爐（e）優(yōu)化的H2O和Li(H2O)4+在孤立態(tài)和溶劑化態(tài)的幾何結(jié)構(gòu)。圖二、濟(jì)南ETS測(cè)量的原理圖和工作原理?2022SpringerNatureLimited（a）ETS測(cè)量用片上PtNW器件，濟(jì)南其中RE、CE和PtNWs（WE）分別是基準(zhǔn)、計(jì)數(shù)器和工作電極，S和D分別代表源極和漏極端子。

盡管HBE在酸性介質(zhì)中取得成功，格降但不是堿性介質(zhì)中HER/HOR動(dòng)力學(xué)的明確描述，這些吸附質(zhì)可能會(huì)改變界面分子結(jié)構(gòu)和反應(yīng)路徑。雖然純金屬表面的HBE原則上可作為HER的有效物理描述符，比微但相關(guān)物理參數(shù)的實(shí)驗(yàn)測(cè)定常因電解質(zhì)和不同表面吸附質(zhì)的存在而變得復(fù)雜，比微特別是在吸附質(zhì)更復(fù)雜的堿性電解質(zhì)中。

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