文中，技術(shù)作者構(gòu)造了13PXZB:B4PyMPM、13PXZB:B3PyMPM和13PXZB:B2PyMPM三種激基復(fù)合物發(fā)光體。歡迎大家到材料人宣傳科技成果并對文獻進行深入解讀，抽水投稿郵箱：[email protected].投稿以及內(nèi)容合作可加編輯微信：cailiaokefu.。根據(jù)DFT計算和FT-IR測量的結(jié)果，蓄能巡維新突預(yù)測13PXZB:B4PyMPM在D和A分子之間的分子間HBs比13PXZB:B3PyMPM多，而13PXZB:B2PyMPM之間不能形成分子間HBs。

因此，電站激基復(fù)合物本征上在最低單重態(tài)和三重態(tài)（S1和T1）能級之間具有極小的能級帶隙（ΔEsts），電站進而通過有效的反系間竄越（RISC）過程利用非輻射躍遷的三重態(tài)激子發(fā)光。同時，技術(shù)在OLEDs中，使用13PXZB:B4PyMPM和13PXZB:B3PyMPM的最大外部量子效率（EQEs）分別為14.6％和10.0％，分別是EQE為6.2％的13PXZB:B2PyMPM的2.3和1.6倍。

此外，抽水對比13PXZB-和13AB-基激基復(fù)合物發(fā)射體之間的性能，發(fā)現(xiàn)HB-輔助激基復(fù)合物發(fā)射體的性能得到了改善，主要是因為D和A分子之間的分子間HBs。

所以，蓄能巡維新突最近幾年大量的研究學(xué)者致力于提高激基復(fù)合物發(fā)射體的性能。電站相關(guān)優(yōu)質(zhì)文獻推薦Liu,S.;Xiong,K.;Wang,K.;Liang,G.;Li,M.-Y.;Tang,H.;Yang,X.;Huang,Z.;Lian,L.;Tan,M.;*Wang,K.;Gao,L.;Song,H.;Zhang,D.;Gao,J.;Lan,X.;Tang,J.;Zhang,J.*,EfficientlyPassivatedPbSeQuantumDotSolidsforInfraredPhotovoltaics.ACSNano2021,DOI:10.1021/acsnano.0c10373.Liu,S.;Zhang,C.;Li,S.;Xia,Y.;Wang,K.;Xiong,K.;Tang,H.;Lian,L.;Liu,X.;Li,M.Y.;Tan,M.;Gao,L.;Niu,G.;Liu,H.;Song,H.;Zhang,D.;Gao,J.;Lan,X.;Wang,K.;Sun,X.W.;Yang,Y.;TangJ.;ZhangJ.*,EfficientInfraredSolarCellsEmployingQuantumDotSolidswithStrongInter‐DotCouplingandEfficientPassivation.Adv.Funct.Mater.2020,2006864.Xia,Y.;Chen,W.;Zhang,P.;Liu,S.;Wang,K.;Yang,X.;Tang,H.;Lian,L.;He,J.;Liu,X.;Liang,G.;Tan,M.;Gao,L.;Liu,H.;Song,H.;Zhang,D.;Gao,J.;Wang,K.;Lan,X.;Zhang,X.;Müller-Buschbaum,P.;Tang,J.;Zhang,J.*,FacetControlforTrap-StateSuppressioninColloidalQuantumDotSolids.Adv.Funct.Mater.2020,2000594.Xia,Y.;Liu,S.;Wang,K.;Yang,X.;Lian,L.;Zhang,Z.;He,J.;Liang,G.;Wang,S.;Tan,M.;Song,H.;Zhang,D.;Gao,J.;Tang,J.;Beard,M.C.;Zhang,J.*,Cation-ExchangeSynthesisofHighlyMonodispersePbSQuantumDotsfromZnSNanorodsforEfficientInfraredSolarCells.Adv.Funct.Mater.2020,30,1907379.Zhang,C.;Xia,Y.;Zhang,Z.;Huang,Z.;Lian,L.;Miao,X.;Zhang,D.;Beard,M.C.;Zhang,J.,CombinationofCationExchangeandQuantizedOstwaldRipeningforControllingSizeDistributionofLeadChalcogenideQuantumDots.Mater.2017,29,3615-3622.Lian,L.;Xia,Y.;Zhang,C.;Xu,B.;Yang,L.;Liu,H.;Zhang,D.;Wang,K.;Gao,J.;Zhang,J.,InSituTuningtheReactivityofSeleniumPrecursorToSynthesizeWideRangeSize,Ultralarge-Scale,andUltrastablePbSeQuantumDots.Mater.2018,30,982-989.Zhang,J.;Chernomordik,B.D.;Crisp,R.W.;Kroupa,D.M.;Luther,J.M.;Miller,E.M.;Gao,J.;Beard,M.C.,PreparationofCd/PbChalcogenideHeterostructuredJanusParticlesviaControllableCationExchange.ACSNano2015,9,7151-63.Zhang,J.;Crisp,R.W.;Gao,J.;Kroupa,D.M.;Beard,M.C.;Luther,J.M.,SyntheticConditionsforHigh-AccuracySizeControlofPbSQuantumDots.TheJournalofPhysicalChemistryLetters2015,6,1830-1833.Zhang,J.||;Gao,J.||;Church,C.P.;Miller,E.M.;Luther,J.M.;Klimov,V.I.;Beard,M.C.,PbSeQuantumDotSolarCellswithMorethan6%EfficiencyFabricatedinAmbientAtmosphere.NanoLett.2014,14,6010-6015.Zhang,J.||;Gao,J.||;Miller,E.M.;Luther,J.M.;Beard,M.C.,Diffusion-ControlledSynthesisofPbSandPbSeQuantumDotswithinSituHalidePassivationforQuantumDotSolarCells.ACSNano2014,8,614-22.Gao,J.||;Zhang,J.||;vandeLagemaat,J.;Johnson,J.C.;Beard,M.C.,ChargeGenerationinPbSQuantumDotSolarCellsCharacterizedbyTemperature-DependentSteady-StatePhotoluminescence.ACSNano2014,8,12814-25.。

在這種混合配體處理的基礎(chǔ)上，技術(shù)IRQD太陽能電池同時實現(xiàn)了高VOC和JSC。抽水（e）從XPS中估算的元素比率。

（b，蓄能巡維新突c）JSC和VOC與光強度的關(guān)系。圖四、電站光伏器件的應(yīng)用（a）光伏器件的原理圖。