從單個數(shù)據(jù)點來看,開電LLCZN體積分數(shù)和收縮因子是M因子中最重要的組成部分,幾何彎度是第三重要的。視電署環(huán)氧樹脂填充的孔在構建中設置為透明。M因子分析表明,議部迎峰LLCZN體積分數(shù)和收縮因子是控制有效本征電導率的主要因素,而幾何扭曲度的影響相對較小。

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當測試范圍更廣時,年能源也可以觀察到類似的趨勢,這進一步表明,從表面SEM圖像得到的2D相面積分數(shù)接近3DFIB層析成像得到的真實3D相體積分數(shù)。當三維圖像區(qū)域進行計算時,全國累積的幾何彎度降低,并且由于局部變化被全局屬性平滑而變得更加同質。

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這表明,度夏在26.45%-40.58%的孔隙度之間,度夏鋰離子傳輸?shù)闹饕拗瓢l(fā)生了轉變,在低孔隙率和導電相分數(shù)時,缺陷是主要限制,在高孔隙率時,缺陷也同樣重要。

這是出乎意料的,國家改革工作因為在低孔隙率情況下,用于擬合單個微觀結構項的一階和二階曲線以及收縮因子偏離了擬合的一階曲線。M因子分析表明,發(fā)展LLCZN體積分數(shù)和收縮因子是控制有效本征電導率的主要因素,而幾何扭曲度的影響相對較小。

從單個數(shù)據(jù)點來看,委召LLCZN體積分數(shù)和收縮因子是M因子中最重要的組成部分,幾何彎度是第三重要的。歡迎大家到材料人宣傳科技成果并對文獻進行深入解讀,開電投稿郵箱:[email protected].投稿以及內容合作可加編輯微信:cailiaorenVIP。

圖2A-C顯示了沿著X、視電署Y和Z軸的正向計算時Trilayer1樣本累積幾何彎曲度的三維可視化圖像,箭頭表示計算方向。模擬技術的發(fā)展使得模擬電化學裝置的性能成為可能,議部迎峰前提是可以精確地表示微觀結構和熱力學/動力學過程。

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