1983年畢業(yè)于長春工業(yè)大學(xué)，業(yè)地搖1984年留學(xué)日本，1990年獲東京大學(xué)博士，1991－1993年東京大學(xué)和國立分子科學(xué)研究所博士后。還擔(dān)任國家自然科學(xué)基金委員會第十四屆專家評審組專家、可動中國化學(xué)會常務(wù)理事及納米化學(xué)專業(yè)委員會創(chuàng)始主任、中國微米納米技術(shù)學(xué)會常務(wù)理事。歡迎大家到材料人宣傳科技成果并對文獻進行深入解讀，而代投稿郵箱[email protected]。

文獻鏈接：業(yè)地搖BridgingtheGapbetweenRealityandIdealinChemicalVaporDepositionGrowthofGraphene.（Chem.Rev.118,18,9281-9343.DOI:10.1021/acs.chemrev.8b0032）【部分參考文獻】[1]???X.Li,W.Cai,L.Colombo,etal.Evolutionofgraphenegrowthonniandcubycarbonisotopelabeling[J].NanoLett,2009,9(12):4268-72.[2]???W.Liu,S.Kraemer,D.Sarkar,etal.Controllableandrapidsynthesisofhigh-qualityandlarge-areabernalstackedbilayergrapheneusingchemicalvapordeposition[J].ChemMater,2014,26(2):907-15.[3]???K.Yan,H.Peng,Y.Zhou,etal.Formationofbilayerbernalgraphene:Layer-by-layerepitaxyviachemicalvapordeposition[J].NanoLett,2011,11(3):1106-10.[4]???L.Liu,H.Zhou,R.Cheng,etal.High-yieldchemicalvapordepositiongrowthofhigh-qualitylarge-areaab-stackedbilayergraphene[J].ACSNano,2012,6(9):8241-9.[5]???Y.Hao,L.Wang,Y.Liu,etal.Oxygen-activatedgrowthandbandgaptunabilityoflargesingle-crystalbilayergraphene[J].NatureNanotechnology,2016,11(426).[6]???T.Ma,Z.Liu,J.Wen,etal.Tailoringthethermalandelectricaltransportpropertiesofgraphenefilmsbygrainsizeengineering[J].NatureCommunications,2017,8(14486).[7]???X.Li,C.W.Magnuson,A.Venugopal,etal.Graphenefilmswithlargedomainsizebyatwo-stepchemicalvapordepositionprocess[J].NanoLett,2010,10(11):4328-34.[8]???H.Zhou,W.J.Yu,L.Liu,etal.Chemicalvapourdepositiongrowthoflargesinglecrystalsofmonolayerandbilayergraphene[J].NatureCommunications,2013,4(2096).[9]???X.Li,C.W.Magnuson,A.Venugopal,etal.Large-areagraphenesinglecrystalsgrownbylow-pressurechemicalvapordepositionofmethaneoncopper[J].JAmChemSoc,2011,133(9):2816-9.[10]?A.Mohsin,L.Liu,P.Liu,etal.Synthesisofmillimeter-sizehexagon-shapedgraphenesinglecrystalsonresolidifiedcopper[J].ACSNano,2013,7(10):8924-31.[11]?J.-H.Lee,E.K.Lee,W.-J.Joo,etal.Wafer-scalegrowthofsingle-crystalmonolayergrapheneonreusablehydrogen-terminatedgermanium[J].Science,2014,344(6181):286-9.[12]?L.Gao,W.Ren,H.Xu,etal.Repeatedgrowthandbubblingtransferofgraphenewithmillimetre-sizesingle-crystalgrainsusingplatinum[J].NatureCommunications,2012,3(699).[13]?Z.Zhang,J.Du,D.Zhang,etal.Rosin-enabledultracleananddamage-freetransferofgrapheneforlarge-areaflexibleorganiclight-emittingdiodes[J].NatureCommunications,2017,8(14560).團隊簡介劉忠范中科院院士，業(yè)地搖教授北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院個人簡介北京大學(xué)博雅講席教授（2016.11.21）、中國科學(xué)院院士（2011.12.10）、發(fā)展中國家科學(xué)院院士（2015.11）?？蓜右r底的選擇對于石墨烯的生長來說尤其重要。

外界條件控制主要包括溫度、而代壓強、氣體的流速和種類、等離子化、加熱方式等。

第十二屆全國人大代表，業(yè)地搖九三學(xué)社第十三屆中央委員和院士工作委員會副主任，北京市人民政府專家咨詢委員會委員，九三學(xué)社北京市主任委員?？蓜邮┲苽溥^程中有時采用化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定的氬氣作為載氣來調(diào)控碳源的濃度和體系壓強。

文獻鏈接：而代BridgingtheGapbetweenRealityandIdealinChemicalVaporDepositionGrowthofGraphene.（Chem.Rev.118,18,9281-9343.DOI:10.1021/acs.chemrev.8b0032）【部分參考文獻】[1]???X.Li,W.Cai,L.Colombo,etal.Evolutionofgraphenegrowthonniandcubycarbonisotopelabeling[J].NanoLett,2009,9(12):4268-72.[2]???W.Liu,S.Kraemer,D.Sarkar,etal.Controllableandrapidsynthesisofhigh-qualityandlarge-areabernalstackedbilayergrapheneusingchemicalvapordeposition[J].ChemMater,2014,26(2):907-15.[3]???K.Yan,H.Peng,Y.Zhou,etal.Formationofbilayerbernalgraphene:Layer-by-layerepitaxyviachemicalvapordeposition[J].NanoLett,2011,11(3):1106-10.[4]???L.Liu,H.Zhou,R.Cheng,etal.High-yieldchemicalvapordepositiongrowthofhigh-qualitylarge-areaab-stackedbilayergraphene[J].ACSNano,2012,6(9):8241-9.[5]???Y.Hao,L.Wang,Y.Liu,etal.Oxygen-activatedgrowthandbandgaptunabilityoflargesingle-crystalbilayergraphene[J].NatureNanotechnology,2016,11(426).[6]???T.Ma,Z.Liu,J.Wen,etal.Tailoringthethermalandelectricaltransportpropertiesofgraphenefilmsbygrainsizeengineering[J].NatureCommunications,2017,8(14486).[7]???X.Li,C.W.Magnuson,A.Venugopal,etal.Graphenefilmswithlargedomainsizebyatwo-stepchemicalvapordepositionprocess[J].NanoLett,2010,10(11):4328-34.[8]???H.Zhou,W.J.Yu,L.Liu,etal.Chemicalvapourdepositiongrowthoflargesinglecrystalsofmonolayerandbilayergraphene[J].NatureCommunications,2013,4(2096).[9]???X.Li,C.W.Magnuson,A.Venugopal,etal.Large-areagraphenesinglecrystalsgrownbylow-pressurechemicalvapordepositionofmethaneoncopper[J].JAmChemSoc,2011,133(9):2816-9.[10]?A.Mohsin,L.Liu,P.Liu,etal.Synthesisofmillimeter-sizehexagon-shapedgraphenesinglecrystalsonresolidifiedcopper[J].ACSNano,2013,7(10):8924-31.[11]?J.-H.Lee,E.K.Lee,W.-J.Joo,etal.Wafer-scalegrowthofsingle-crystalmonolayergrapheneonreusablehydrogen-terminatedgermanium[J].Science,2014,344(6181):286-9.[12]?L.Gao,W.Ren,H.Xu,etal.Repeatedgrowthandbubblingtransferofgraphenewithmillimetre-sizesingle-crystalgrainsusingplatinum[J].NatureCommunications,2012,3(699).[13]?Z.Zhang,J.Du,D.Zhang,etal.Rosin-enabledultracleananddamage-freetransferofgrapheneforlarge-areaflexibleorganiclight-emittingdiodes[J].NatureCommunications,2017,8(14560).團隊簡介劉忠范中科院院士，而代教授北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院個人簡介北京大學(xué)博雅講席教授（2016.11.21）、中國科學(xué)院院士（2011.12.10）、發(fā)展中國家科學(xué)院院士（2015.11）。在Cu表面生長單層石墨烯的過程主要包括（碳源前驅(qū)體以甲烷為例：業(yè)地搖(1)CH4在Cu表面的吸附與催化分解形成活性C碎片(CHx,x=0-3)(2)活性C碎片的表面遷移(3)活性C碎片形成穩(wěn)定石墨烯核(4)石墨烯核的長大，業(yè)地搖進而疇區(qū)拼接成連續(xù)薄膜。

因此，可動擴大晶疇的尺寸和控制晶疇的晶向一致并實現(xiàn)無縫拼接是增加單晶面積，減少晶界的關(guān)鍵要素。而代金屬Cu是目前生長石墨烯最理想的催化基底。