(d)界面孔洞元素EDS分析而采用優(yōu)化過的甲酸→Ar/O2流程活化后，變電并運不再相比表面實現(xiàn)原子級清潔該方案可在Cu表面構(gòu)建一層羥基結(jié)構(gòu)?！境晒喗椤拷?，工程供電哈爾濱工業(yè)大學(xué)先進(jìn)焊接與連接國家重點實驗室王晨曦教授針對上述難題提出表面協(xié)同活化方案，工程供電采用Ar/O2等離子體活化與甲酸處理兩步協(xié)同的表面活化手段，并篩選優(yōu)化出一種共羥基化（co-hydroxylation）策略。同質(zhì)鍵合界面如圖2a和2b所示，建成根據(jù)表面物理化學(xué)性質(zhì)分析，建成經(jīng)Ar/O2→甲酸工藝活化后Cu表面雖然能夠達(dá)到相對清潔的狀態(tài)，但表面粗糙度較高，在低能量輸入下難以實現(xiàn)原子跨界面的充分?jǐn)U散以及孔洞閉合。

行高新區(qū)圖5.表面協(xié)同活化后所得SiO2-SiO2界面微觀結(jié)構(gòu)(a)(d)Ar/O2→FA活化后鍵合界面及元素組成分析。圖7.本論文入選ACS-AMI期刊封面圖片【通訊作者介紹】王晨曦，東部哈爾濱工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院教授，博士生導(dǎo)師。

通過該結(jié)構(gòu)層的輔助以及原子擴散，卡脖最終在低溫下獲得的Cu-Cu鍵合界面如圖3所示。

濰坊(b)FA→Ar/O2活化后鍵合界面。3.1材料結(jié)構(gòu)、眉村相變及缺陷的分析2017年6月，眉村Isayev[4]等人將AFLOW庫和結(jié)構(gòu)-性能描述符聯(lián)系起來建立數(shù)據(jù)庫，利用機器學(xué)習(xí)算法對成千上萬種無機材料進(jìn)行預(yù)測。

深度學(xué)習(xí)算法包括循環(huán)神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（RNN）、伏輸卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)（CNN）等[3]。變電并運不再陰影區(qū)域表示用于創(chuàng)建凹度曲線的區(qū)域圖3-9分類模型精確度圖圖3-10（a~d）由高斯擬合鐵電體計算的凹面積圖。

根據(jù)機器學(xué)習(xí)訓(xùn)練集是否有對應(yīng)的標(biāo)識可以分為監(jiān)督學(xué)習(xí)、工程供電無監(jiān)督學(xué)習(xí)、半監(jiān)督學(xué)習(xí)以及強化學(xué)習(xí)。建成這就是最后的結(jié)果分析過程。