數(shù)據(jù)陰影區(qū)域表示用于創(chuàng)建凹度曲線的區(qū)域圖3-9分類模型精確度圖圖3-10（a~d）由高斯擬合鐵電體計算的凹面積圖。單晶多晶的電子衍射花樣你都了解嗎?本文由材料人專欄科技顧問溪蓓供稿，吉林材料人編輯部Alisa編輯。再者，地區(qū)電量隨著計算機的發(fā)展，地區(qū)電量許多諸如第一性原理計算、相場模擬、有限元分析等手段隨之出現(xiàn)，用以進(jìn)行材料的結(jié)構(gòu)以及性能方面的計算，但是往往計算量大，費用大。

【引語】干貨專欄材料人現(xiàn)在已經(jīng)推出了很多優(yōu)質(zhì)的專欄文章，全社所涉及領(lǐng)域也正在慢慢完善。目前，數(shù)據(jù)機器學(xué)習(xí)在材料科學(xué)中已經(jīng)得到了一些進(jìn)展，如進(jìn)行材料結(jié)構(gòu)、相變及缺陷的分析[4-6]、輔助材料測試的表征[7-9]等。

吉林圖2-2?機器學(xué)習(xí)分類及算法3機器學(xué)習(xí)算法在材料設(shè)計中的應(yīng)用使用計算模型和機器學(xué)習(xí)進(jìn)行材料預(yù)測與設(shè)計這一理念最早是由加州大學(xué)伯克利分校的材料科學(xué)家GerbrandCeder教授提出。

首先，地區(qū)電量構(gòu)建深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型（圖3-11），地區(qū)電量識別在STEM數(shù)據(jù)中出現(xiàn)的破壞晶格周期性的缺陷，利用模型的泛化能力在其余的實驗中找到各種類型的原子缺陷。相關(guān)工作進(jìn)展:通過幾何失配應(yīng)變設(shè)計和合成納米晶粒｜Science與晶界相關(guān)的拓?fù)淙毕?GB缺陷)對納米晶材料的電學(xué)、全社光學(xué)、全社磁性、力學(xué)和化學(xué)性質(zhì)的影響是眾所周知的。

相關(guān)研究以DNA-BasedNanostructuresforLive-CellAnalysis為題目，數(shù)據(jù)發(fā)表在JACS上。相關(guān)研究以Corner-,edge-,andfacet-controlledgrowth?ofnanocrystals為題目，吉林發(fā)表在Science?Advances上。

研究描述了不同探針體系結(jié)構(gòu)的優(yōu)點和缺點，地區(qū)電量并描述了這些結(jié)構(gòu)在闡明基礎(chǔ)生物學(xué)以及開發(fā)改進(jìn)的診斷和治療系統(tǒng)方面所帶來的進(jìn)展。相關(guān)研究以Designandsynthesisofmultigrain?nanocrystalsviageometricmisfitstrain為題目，全社發(fā)表在Science上。