發(fā)表SCI論文200余篇,包括NatureMater.,遭受丈夫家中和NaturePhotonics,J.Am.Chem.Soc.,?Angew.Chem.Int.Ed.Engl.,Adv.Mater.等。然而,家暴由于缺少可印刷的陰極界面層材料,使得印刷法制備大面積OSC器件的研究進(jìn)展受到嚴(yán)重阻礙。捅死(b)NDI-N大面積器件的J-V和(c)EQE曲線。

日本老婦長(zhǎng)期遭受家暴憤而捅死丈夫后,在家中和尸體共住20余年…

上述結(jié)果表明,尸體NDI-N從非富勒烯受體和聚合物給體中都能夠提取電子,這對(duì)于實(shí)現(xiàn)器件的高效率具有重要作用。本文的第一作者為研究生康倩,共住所屬單位:中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所,北卡羅來(lái)納州立大學(xué)。

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此外,余年課題組與美國(guó)北卡羅來(lái)納州立大學(xué)的H.Ade.教授和葉龍博士展開(kāi)合作,深入研究了NDI-N在薄膜態(tài)下的結(jié)晶行為以及分子取向。

【前言】作為新一代光伏技術(shù),日本有機(jī)太陽(yáng)能電池(OSC)具有重量輕、日本制作工藝簡(jiǎn)單、可通過(guò)廉價(jià)的印刷工藝制備大面積柔性器件等突出優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)成為一類具有重要應(yīng)用前景的新型光伏技術(shù)。老婦數(shù)值模擬結(jié)果表明肖特基勢(shì)壘場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SBFET)模型可以完全解釋雙極性vdWS。

長(zhǎng)期圖3完全置于hBN上的MoTe2SBFET電子特性a)單層MoTe2置于厚hBN上器件的光學(xué)顯微鏡圖像。然而,遭受丈夫家中和將vdWS完全或部分(僅接觸區(qū)域)置于惰性hBN層上可抑制這種轉(zhuǎn)變。

然而,家暴在不同vdWS中仍然存在爭(zhēng)議的基本問(wèn)題是其傳導(dǎo)行為的真實(shí)起源(如傳導(dǎo)類型)。例如,捅死研究人員已發(fā)現(xiàn)CNT用于肖特基勢(shì)壘場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SBFET),其中雙極傳導(dǎo)主要來(lái)自電子和空穴通過(guò)觸點(diǎn)處的肖特基勢(shì)壘注入。

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