這項工作突出了界面設(shè)計在基于納米流體膜的滲透能轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的構(gòu)建中的重要性，創(chuàng)新證明了聚電解質(zhì)凝膠作為高性能界面材料在非均相滲透發(fā)電領(lǐng)域的巨大前景。曾獲北京市科學(xué)技術(shù)獎一等獎，等獎中國化學(xué)會青年化學(xué)獎，中國青年科技獎等獎勵。由于固有的多級不對稱性，遠(yuǎn)光業(yè)獎混合膜表現(xiàn)出電荷控制的不對稱離子傳輸行為，可以大大減少離子極化現(xiàn)象。

溫度的獨(dú)特分布將抑制生長過程中的氣相反應(yīng)，軟件從而確保獲得清潔度得到改善的石墨烯。坦白地說，明創(chuàng)盡管其合成是在相對較低的溫度下進(jìn)行的，但目前其商業(yè)化的瓶頸在于合成效率低和成本高。

接下來，創(chuàng)新本文重點(diǎn)介紹一門三院士的主角-劉忠范院士、江雷院士、姚建年院士以及他們的近期研究進(jìn)展。

這項研究為石墨烯的CVD生長中的氣相反應(yīng)工程學(xué)提供了新的見解，等獎從而獲得了高質(zhì)量的石墨烯薄膜，等獎并為大規(guī)模生產(chǎn)具有改進(jìn)性能的石墨烯薄膜鋪平了道路，為將來的應(yīng)用鋪平了道路。在過渡金屬硫化物中，遠(yuǎn)光業(yè)獎三硫化二銻（Sb2S3）具有正交晶系的晶體結(jié)構(gòu)和高達(dá)954mAh/g的理論比容量，遠(yuǎn)光業(yè)獎在TMDs中脫穎而出，且其Na+脫嵌過程涉及到轉(zhuǎn)化和合金化反應(yīng)的兩種機(jī)制。

【成果簡介】近期，軟件中南大學(xué)歐星副教授和東北大學(xué)駱文彬教授（共同通訊作者）等人利用兩步溶劑熱法成功制備了鑲嵌在氮摻雜石墨烯基體中的Sb2S3@FeS2空心納米棒（SFS/C）分級復(fù)合結(jié)構(gòu)，軟件并將其用作鈉離子電池負(fù)極材料。通過合理設(shè)計金屬硫化物的分級異質(zhì)性這一策略，明創(chuàng)對于進(jìn)一步開發(fā)高性能電極材料具有現(xiàn)實(shí)指導(dǎo)意義。

創(chuàng)新該項研究以題為BimetallicSulfideSb2S3@FeS2HollowNanorodsasHigh-PerformanceAnodeMaterialsforSodium-IonBatteries發(fā)表在ACSNano上。此外，等獎Sb2S3@FeS2空心納米棒鑲嵌在N-摻雜石墨烯基體中的分級復(fù)合結(jié)構(gòu)，可以緩解充放電循環(huán)所帶來的體積膨脹，確保較大的反向容量。