當(dāng)其作為鉀離子電池正極材料時(shí)，旗多表現(xiàn)出優(yōu)異的倍率性能和循環(huán)穩(wěn)定性?；隈薨橬摻雜MXene/S的復(fù)合正極呈現(xiàn)出了卓越的電化學(xué)性能，旗多在0.2C具有1144?mAhg-1的高比容量，旗多在2C電流密度下1000次循環(huán)后仍然有610mAhg-1，具有較好的循環(huán)穩(wěn)定性。旗多本文采用氮和硫共摻雜碳納米管（NSCNT）制備的紙片來(lái)控制鈉成核行為并抑制鈉枝晶生長(zhǎng)。

最近發(fā)現(xiàn)，旗多用硫化鋰（Li2S）代替硫陰極不僅可以在很大程度上避免循環(huán)過(guò)程中的體積膨脹問(wèn)題，旗多而且還可以與鋰金屬以外的陽(yáng)極材料一起工作，以消除傳統(tǒng)Li-S電池的嚴(yán)重安全問(wèn)題。為此，旗多汪國(guó)秀教授團(tuán)隊(duì)和清華大學(xué)李寶華教授團(tuán)隊(duì)及西班牙CICENERGIGUNE研究所MichelArmand教授團(tuán)隊(duì)合作，旗多在NatureCommunications上共同發(fā)表題為Aroom-temperaturesodium-sulfurbatterywithhighcapacityandstablecyclingperformance的研究論文，報(bào)道了一種采用雞尾酒優(yōu)化電解液系統(tǒng)的高性能室溫鈉硫電池。

其中的單個(gè)原子與Ti3-xC2Ty?載體形成強(qiáng)金屬-碳鍵，旗多并穩(wěn)定在先前被Ti占據(jù)的位置上。

汪教授致力于能源材料領(lǐng)域的研發(fā)，旗多并在包括材料工程、旗多材料化學(xué)、電化學(xué)能量?jī)?chǔ)存轉(zhuǎn)換、納米科技,先進(jìn)材料的合成與制造等多個(gè)跨學(xué)科領(lǐng)域取得了優(yōu)異的成果。開(kāi)展了與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝兼容的硅基發(fā)光器件及其光電子集成電路研究，旗多實(shí)現(xiàn)了CMOS光電集成回路。

旗多（i）100nmAu顆粒作用下的細(xì)胞裂解碰撞模型。旗多（f）4mm?磁珠作用下的細(xì)胞掃描電鏡圖片。

研制了CMOS硅光發(fā)射器件及陣列，旗多硅基納米材料光調(diào)制器與探測(cè)器，二維材料倍頻器、光電混頻器、雙光混頻器等新型納米光電器件。長(zhǎng)期從事光電子與微電子學(xué)方面的科研和教學(xué)工作，旗多目前研究方向?yàn)榧{米光電器件、光電子與微電子集成。