此外,錄儀還通過XRD、SEM和密度泛函理論研究了反應(yīng)機(jī)理。拍下(h)HVO的氮吸附-解吸等溫線。圖二、最后電化學(xué)性能研究(a)HVO電極在0.1mVs-1時(shí)的CV曲線。

萬科地下車庫被淹,行車記錄儀拍下最后畫面

畫面(d)Zn2p的XPS高分辨率光譜。圖五、地下充放電過程研究(a-c)在各種放電/充電狀態(tài)下的第一個(gè)循環(huán)中,HVO陰極的XRD分析。

萬科地下車庫被淹,行車記錄儀拍下最后畫面

車庫車記HVO的反應(yīng)策略適用于未來的水溶液鋅離子電池的設(shè)計(jì)。

結(jié)果表明,被淹優(yōu)異的倍率性能源于插層贗電容行為。錄儀(e,f)基于biuret/triuret混合添加劑制備的鈣鈦礦薄膜的上表面SEM和橫截面SEM照片。

(c)MAPbI3鈣鈦礦晶體在biuret添加劑幫助下的生長示意圖,拍下(I)將biuret與鈣鈦礦前驅(qū)體混合,拍下(II)前驅(qū)體與添加劑形成PbI2?-biuret-MAI絡(luò)合物,(III)添加劑吸附在晶核周圍,持續(xù)吸引游離單體(MAI,PbI2)加速晶體生長,(IV)形成大晶粒鈣鈦礦并在晶界處殘留添加劑。最后圖3:器件結(jié)構(gòu)與光電性能。

畫面(器件結(jié)構(gòu)分別為ITO/PTAA/(FAPbI3)0.85(MAPbBr3)0.15/PC61BM/Ag和ITO/NiO/CsPbI2Br/PC61BM/Ag。相反,地下triuret則更易于在鈣鈦礦表面聚集和吸附鈣鈦礦,形成樹枝狀鈣鈦礦中間層,這有利于電子從鈣鈦礦向電子傳輸層的傳遞和提升器件效率。

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