結(jié)果白光、風(fēng)暴紅光、綠光和藍(lán)光的亮度分別提高31%、67%、28%和8%。他們透過中子束刻蝕（NBE）技術(shù)取代傳統(tǒng)的電感耦合等離子體刻蝕（ICP），顆引使6微米-40微米Micro-LED晶體的EQE沒有明顯變化。圖5量子棒的取向性、山楂T形配體結(jié)構(gòu)、山楂及吸收/激發(fā)峰另外，光的均勻性對(duì)于Mini-LED顯示器亦非常重要，文中提到多種光學(xué)設(shè)計(jì)，包括微透鏡陣列，二氧化硅/二氧化鈦多層結(jié)構(gòu)，先進(jìn)光擴(kuò)散片等手段。

然而，頭腦最近幾年有大量的初創(chuàng)企業(yè)成立，頭腦行業(yè)巨頭們大力投入該領(lǐng)域，而在學(xué)術(shù)界也繼續(xù)有不少前沿研究在進(jìn)行，種種因素都表明該行業(yè)在未來將擁有巨大的發(fā)展?jié)摿?。透過使用T形形狀的發(fā)旋旋旋光性磷酸在光照對(duì)準(zhǔn)時(shí)能夠使量子棒相互平行排列的特性，風(fēng)暴使得混合薄膜中的QRs濃度高達(dá)10wt.%-20wt.%，風(fēng)暴同時(shí)保持高亮度和發(fā)光偏振性質(zhì)。

Micro-OLED具有出色的光學(xué)性能，顆引但由于有機(jī)材料需要良好的保護(hù)，其結(jié)構(gòu)相對(duì)復(fù)雜，包括電子/空穴傳輸層、透明電極、以及保護(hù)用的封裝。

當(dāng)中的原因是量子效率在像素縮小的時(shí)候會(huì)大幅衰減，山楂同時(shí)不成熟的工藝導(dǎo)致的成本問題。此外，頭腦MicroLED的體積約為目前主流LED大小的1%，頭腦且應(yīng)用范圍非常廣闊，可應(yīng)用小至手環(huán)和手表等可穿戴設(shè)備，大至商用廣告牌和公共顯示屏，甚至VR或者VR設(shè)備等的，并且表現(xiàn)比傳統(tǒng)的液晶面板甚至OLED都更好一些。

相比OLED，風(fēng)暴MicroLED的亮度也要更高一些，而且壽命也會(huì)更長(zhǎng)，性能更加穩(wěn)定，亮度和色彩飽和度更高，響應(yīng)速度也更快。經(jīng)查詢發(fā)現(xiàn)，顆引MicroLED相比于LCD可以實(shí)現(xiàn)更高的亮度、色彩飽和度、色彩還原力、響應(yīng)速度等，而且是自發(fā)光，因此更省電。

據(jù)介紹，山楂三星電子MicroLED中使用的LED元器件尺寸小于50μm，僅為一般100型高分辨率B2B產(chǎn)品中LED器件的10%。三星電子表示，頭腦他們計(jì)劃從今年開始在全球推廣MicroLED。