更重要的是，患亟該工作為所有涉及納米晶體領(lǐng)域的科研工作者提供了一種操控晶格環(huán)境的新思路，其潛在應(yīng)用令人期待。為了驗(yàn)證這一猜想，電荒大隱待9大改研究團(tuán)隊(duì)合成了直徑約為7納米的超小發(fā)光納米晶（NaGdF4:Yb/Tm），并采用惰性殼(NaYF4)進(jìn)行包覆。中場(g)原始核-殼納米粒子以及在980nm激發(fā)(4Wcm?2)下使用和不使用Y3+退火的納米粒子的上轉(zhuǎn)換發(fā)射光譜。

復(fù)盤(b)Yb-L3EXAFS光譜的傅立葉變換的實(shí)驗(yàn)（點(diǎn)）和擬合（實(shí)線）結(jié)果。此外，患亟除Y3+外，Gd3+的OA配合物也可以起到相近的效果。

通過有效地填補(bǔ)擴(kuò)散到表面的空位,納米晶內(nèi)的缺陷數(shù)量顯著減少，電荒大隱待9大改從而提高其發(fā)光性能（iii）。

中場這些缺陷對(duì)于熒光納米材料而言嚴(yán)重限制了高發(fā)光亮度材料的開發(fā)。圖1：復(fù)盤單個(gè)Pd納米晶顆粒的SECCM測量示意圖【成果掠影】近日，復(fù)盤東華大學(xué)陳前進(jìn)研究員課題組與中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)的曾杰教授合作在國際知名期刊《德國應(yīng)用化學(xué)》（AngewandteChemieInternationalEdition）上發(fā)表了題為《》（ExploringtheStrainEffectinSingleParticleElectrochemistryusingPdNanocrystals）的研究論文。

掃描電化學(xué)池顯微鏡(SECCM)作為一種新興的掃描探針電化學(xué)成像技術(shù)，患亟采用微液滴反應(yīng)器實(shí)現(xiàn)微區(qū)電化學(xué)過程的測量表征，患亟通過共定位的界面成像可以實(shí)現(xiàn)單顆粒水平的結(jié)構(gòu)-活性關(guān)系研究。【數(shù)據(jù)概覽】圖2：電荒大隱待9大改玻碳基底上單個(gè)Pd納米晶顆粒的SECCM電化學(xué)成像圖3：電荒大隱待9大改單個(gè)Pd納米晶顆粒的電催化析氫性能比較【成果啟示】基于晶格參數(shù)和表面應(yīng)力理論計(jì)算，Pd二十面體（111）晶面中心區(qū)域存在明顯的拉伸應(yīng)力，而八面體表面沒有應(yīng)力。

在此，中場作者利用SECCM實(shí)現(xiàn)了單個(gè)Pd納米晶電催化析氫反應(yīng)研究，中場通過對(duì)比具有不同表面應(yīng)力的納米晶析氫反應(yīng)行為，直接探究了催化劑表面應(yīng)力對(duì)反應(yīng)活性作用?！緦?dǎo)讀】顆粒催化劑的表面應(yīng)力被認(rèn)為是調(diào)控催化反應(yīng)活性的有效策略之一，復(fù)盤深入理解兩者的相關(guān)性對(duì)于進(jìn)一步開發(fā)高效的催化劑具有重要的意義。