在臨界應(yīng)力快出現(xiàn)時(shí)應(yīng)力最大，潔高之后隨著拉伸的增加應(yīng)力逐漸減小。對(duì)軌道態(tài)密度的研究表明，靠清在沿armchair方向(y)拉伸過(guò)程中，靠清px先略有增大，后顯著減小，說(shuō)明沿zigzag方向(x)的相互作用先減小，再導(dǎo)致鍵角異常增大，從而導(dǎo)致面內(nèi)NPR。潔高這對(duì)未來(lái)基于納米結(jié)構(gòu)的新型微納米機(jī)電器件的設(shè)計(jì)和開發(fā)具有重要意義。

無(wú)論負(fù)泊松效應(yīng)是否存在，靠清每個(gè)原子的能量都在不斷增長(zhǎng)，靠清這是因?yàn)樵诶旆较蛏系膽?yīng)變始終增加，而在其他方向上沒有應(yīng)力，從而將正功轉(zhuǎn)變?yōu)槟芰枯斎氲较到y(tǒng)中。(c)在armchair方向或zigzag方向施加應(yīng)變時(shí)，潔高結(jié)構(gòu)的z軸方向上的厚度增大，揭示了面外NPR現(xiàn)象。

此外，靠清也有一些關(guān)于平面外負(fù)泊松比現(xiàn)象的研究，如TiN、磷烯、arsenic、GeS、SnSe、graphene+。

此外，潔高在不改變材料結(jié)構(gòu)、形狀或成分的情況下，沿特定方向施加應(yīng)變，二維材料會(huì)產(chǎn)生固有的面內(nèi)負(fù)泊松比。平臺(tái)的出現(xiàn)表明晶體主體材料中等效嵌入位點(diǎn)數(shù)量的增加代表了嵌入/脫嵌過(guò)程中的一級(jí)相變，靠清這表明由Li+電化學(xué)循環(huán)引發(fā)的a-c相變。

潔高本工作采用原位NbK邊X射線吸收近邊結(jié)構(gòu)(XANES)和XPS對(duì)樣品中Nb在各種放電狀態(tài)(圖4a,b)下的價(jià)態(tài)進(jìn)行評(píng)價(jià)。進(jìn)一步放電到0.5V時(shí)，靠清譜線邊緣移動(dòng)到更低的能量，表明電極本體中處于+4以下的Nb氧化狀態(tài)。

本工作假設(shè)觀察到的非均勻性與相變過(guò)程有關(guān)，潔高相變過(guò)程自適應(yīng)地促進(jìn)離子和電子輸運(yùn)的最低遷移壘。RS-Nb2O5電極在400次循環(huán)中表現(xiàn)出224?mAh?g-1的高可逆容量，靠清容量損失僅0.02%。