本文將最近開發(fā)的低劑量HRTEM技術(shù)與電子晶體學(xué)結(jié)合起來，天然投運(yùn)通過實(shí)空間直接成像研究MOF中的缺陷。氣壓氣站圖4UiO-66中各種缺陷結(jié)構(gòu)的插圖?圖5各種有缺陷的UiO-66樣品的表征和催化性能?(a)通過HF消化溶液的高效液相色譜分析測(cè)定甲酸鹽含量和來自N2吸附等溫線UiO-66樣品的BET表面積。與UiO-66-P相比，東北地區(qū)UiO-66-D具有以~1.7nm為中心的額外孔徑分布，東北地區(qū)導(dǎo)致在高相對(duì)壓力區(qū)域的顯著吸附（P/P00.9））圖2UiO-66-D中完美和缺失-連接區(qū)的HRTEM分析?CTF校正的HRTEM圖像和結(jié)構(gòu)模型沿?[001]（a），[110]（b）區(qū)域軸完美UiO-66（Fm-3m），沿[001]（c），[100]（d）和[110]（e）缺失的配體缺陷的區(qū)域軸（I4/mmm）。

在所研究的UiO-66晶體中，最大正式配體缺失缺陷具有更高的濃度并可形成較大的有序區(qū)域，而團(tuán)簇缺失缺陷僅出現(xiàn)在幾個(gè)晶胞尺寸的小區(qū)域中。配體交換的方法可用于改變?nèi)毕轁舛龋瑯屑~從而調(diào)節(jié)UiO-66的催化活性。

天然投運(yùn)在每個(gè)小組中：（i）CTF校正的圖像。

圖3UiO-66-D團(tuán)簇缺失缺陷的HRTEM分析a，氣壓氣站b，[001]方向的CTF校正的HRTEM圖像，顯示不同類型的團(tuán)簇缺失缺陷，采用reo結(jié)構(gòu)（a）和scu結(jié)構(gòu)（b）。精益求精的產(chǎn)品體系和完善的門窗五金解決方案讓深圳森力霸收獲了消費(fèi)者的良好口碑，東北地區(qū)并先后斬獲中國(guó)十大五金品牌、東北地區(qū)中國(guó)十大門窗五金品牌、中國(guó)十大門控五金品牌等榮譽(yù)稱號(hào)，在門窗五金領(lǐng)域展現(xiàn)出強(qiáng)大的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

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