作者找到了DW，始建設(shè)中首晶格結(jié)構(gòu)在這些DW上移動了一半單位晶胞。相比之下，音隧在有限能量渦旋結(jié)合態(tài)或超導(dǎo)間隙之外的電子態(tài)連續(xù)體中均未觀察到平穩(wěn)狀態(tài)。結(jié)合現(xiàn)有數(shù)據(jù)表明UTe2中存在三重態(tài)配對，內(nèi)鐵手性態(tài)的存在表明UTe2是手性三聯(lián)體拓撲超導(dǎo)性的強候選者。

結(jié)果表明當(dāng)單個Bi原子在表面上移動時，目建與超導(dǎo)相關(guān)的譜隙可逆地變化多達15毫電子伏特。作者認為對于邊緣超電流，黃臺快速模式頻率會隨晶體面積的增加而增加。

在磁場B中，聯(lián)絡(luò)路項磁通量量化生成邊緣凝結(jié)物的周期性調(diào)制，可觀察到這是臨界電流Ic與B的快速模式振蕩。

線開綜合數(shù)據(jù)與在近似拓撲材料中p相移DW分散馬約拉納狀態(tài)的觀察結(jié)果一致。圖1.（a）氧缺陷σ-MnO2的儲鋅示意圖，始建設(shè)中首（b）氧缺陷σ-MnO2和純σ-MnO2的表面Zn2+吸附能的計算值（c）氧缺陷σ-MnO2和純σ-MnO2的倍率性能。

圖10.（a）在0.2mVs-1掃速下的CV曲線，音隧（b）在50mAg-1電流密度下充放電曲線，音隧（c）倍率性能，（d）在500mAg-1電流密度下循環(huán)性能，（e）在三維ZMO尖晶石框架中Zn2+嵌脫示意圖，（e）在沒有和有錳空位的ZMO尖晶石結(jié)構(gòu)的Zn2+擴散途徑圖11.（a）不同狀態(tài)下的電化學(xué)阻抗圖，（b）GITT充放電曲線以及相應(yīng)的鋅離子擴散系數(shù)，（c）純MnO的態(tài)密度，（d）錳缺陷MnO的態(tài)密度，（e）兩種不同MnO鋅離子嵌脫示意圖三、結(jié)語總而言之，通過缺陷工程（氧空位/陽離子缺陷）改性方法能在很大程度上提高錳基材料的電化學(xué)儲鋅性能。如圖7d-e所示，內(nèi)鐵氧空位-Mn2O3的擴散行為更明顯，內(nèi)鐵而且鋅離子擴散速率要比純Mn2O3的要高出一個數(shù)量級，這說明氧空位能提高鋅離子的擴散動力學(xué)，進而獲得更高的容量保持率和倍率性能（圖6c-d）。

所以，目建與原始σ-MnO2相比，氧空位σ-MnO2的Zn2+吸附/解吸可逆性更好。黃臺圖9.（a）合成P-MnO2-x?@VMG殼/核陣列的示意圖。