圖7B摻雜SiC納米帶PD的高溫穩(wěn)定性a)在5.0V偏壓、局待405nm光照下，B摻雜SiC納米帶PD在25-300℃不同溫度下的光響應(yīng)曲線。乎兩圖2B摻雜的3C-SiC納米帶的表面元素分析a)B摻雜3C-SiC納米帶的XPS全譜。此外，個(gè)整B摻雜3C-SiC納米帶PD在300℃高溫下180天內(nèi)，展現(xiàn)出良好的長效穩(wěn)定性。

局待d)B摻雜3C-SiC納米帶的B1sXPS譜?！疽浴侩S著科技的不斷的發(fā)展，乎兩探索能在高溫等惡劣條件下穩(wěn)定服役的光電探測(cè)器(PD)，是當(dāng)前研究的挑戰(zhàn)之一。

【成果簡介】近日，個(gè)整寧波工程學(xué)院楊為佑教授、個(gè)整北京科技大學(xué)侯新梅教授、復(fù)旦大學(xué)方曉生教授(共同通訊作者)等采用有機(jī)前驅(qū)體熱解工藝，合成了B摻雜3C-SiC納米帶，實(shí)現(xiàn)了以3C-SiC納米帶光電探測(cè)器(PD)的研發(fā)，相關(guān)成果在Adv.Funct.Mater.上發(fā)表了題為High-PerformanceSiCNanobeltPhotodetectorswithLong-TermStabilityAgainst300°Cupto180Days的研究論文。

圖6B摻雜SiC納米帶光PD的光譜響應(yīng)率和外量子效率a)5.0V偏壓、局待波長范圍為250-700nm時(shí)，0.31mol%B摻雜單根SiC納米帶PD的光響應(yīng)。就像在有機(jī)功能納米結(jié)構(gòu)研究上，乎兩考慮到納米結(jié)構(gòu)在無機(jī)半導(dǎo)體領(lǐng)域所取得的非凡成就，乎兩作為一類重要的光電信息功能材料，有機(jī)分子結(jié)構(gòu)的多樣性，可設(shè)計(jì)性以及材料合成及制備方法上的靈活性都使得有機(jī)納米結(jié)構(gòu)的研究尤為重要。

對(duì)于純PtD-y供體和摻雜的受主發(fā)射，個(gè)整最高的PL各向異性比分別達(dá)到0.87和0.82，個(gè)整表明供體的激發(fā)各向異性能可以有效地轉(zhuǎn)移到受體上，并具有顯著的放大作用。這項(xiàng)工作展示了設(shè)計(jì)雙極膜的策略，局待并闡述了其在鹽度梯度發(fā)電系統(tǒng)中的優(yōu)越性。

1998年獲得日本文部省頒發(fā)的青年特別獎(jiǎng)勵(lì)基金，乎兩同年入選中國科學(xué)院百人計(jì)劃。發(fā)表學(xué)術(shù)論文560余篇，個(gè)整申請(qǐng)中國發(fā)明專利100余項(xiàng)。